位元线接触窗的填充方法

摘要

本发明揭示一种位元线接触窗的填充方法，包括下列步骤：提供一基底，上述基底具有一电晶体，上述电晶体系形成于上述基底上，包含一闸极、一汲极区、与一源极区；于上述闸极的侧壁、上述汲极区的表面与上述源极区的表面形成一第一阻障层；于上述第一阻障层上形成一第一导电层；去除上述源极区上方的上述第一阻障层与上述第一导电层；于上述基底上形成一阻障绝缘层；于上述源极区上方的上述阻障绝缘层上形成一第一介电层；于上述基底上形成一第二介电层；形成一介层窗穿透上述第二介电层与上述阻障绝缘层，暴露上述第一导电层；于上述介层窗表面形成一第二阻障层；以及于上述介层窗内填入一第二导电层。