闸极氧化层厚度之量测方法

摘要

一种量测半导体底材上闸极氧化层厚度之方法。首先，对半导体底材进行快速热回火(rapidthermalprocedure；RTP)以移除附着于该闸极氧化层表面上之湿气与有机物微粒。接着，立即使用椭圆仪量测闸极氧化层之厚度。