经氢化之矽氧碳化物薄膜之制法

摘要

揭示一种制造具有低介电质常数之经氢化之矽氧碳化物(H：SiOC)薄膜之方法。该法包括使用电浆辅助聚合作用以反应含有至少一个应变矽键之环状矽烷化合物以产生薄膜。所得薄膜可用于半导体装置之形成。