位元线接触窗及其制造方法

摘要

本发明提出一种位元线接触窗的制造方法，于已形成电晶体的基底上，形成顺应性的多晶矽层，并经定义形成连接掺杂区的内着陆垫。之后，于内着陆垫、电晶体和基底上顺应性形成一保护层，并于保护层上形成绝缘层。接着，于绝缘层和保护层中形成暴露出内着陆垫的接触窗开口，并继续进行MO蚀刻制程，以于开口上方形成具有着陆垫凹槽的图案。之后，进行MO沈积制程，于开口和凹槽中填入导电材质。所形成之位元线接触窗之结构包括底层之多晶矽内着陆垫、接触窗插塞、以及顶层之内连线着陆垫。