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发明名称
减少研磨镶嵌结构时产生凹陷的方法
摘要
本发明揭示一种减少研磨镶嵌结构时产生凹陷的方法。提供具有一介电层的一基底。形成一槽沟于介电层中。形成一顺应的阻障层于槽沟的表面上,并延伸至介电层上。进行一第一电镀铜制程,形成一第一铜层于阻障层上并填满槽沟,且位于槽沟上方之第一铜层表面具有一凹处,该凹处高于介电层表面一距离,第一铜层具有第一晶粒尺寸。进行一第二电镀铜制程,形成一第二铜层于第一铜层上,第二铜层具有第二晶粒尺寸,且第二晶粒尺寸小于第一晶粒尺寸,使得第二铜层硬于第一铜层。进行一化学机械研磨制程。
申请公布号
TW200420381
申请公布日期
2004.10.16
申请号
TW092108522
申请日期
2003.04.14
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
刘继文;曹荣志;张仕宗;陈科维;王英郎
分类号
B24B37/04;B24B7/20;H01L21/304
主分类号
B24B37/04
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区园区三路一二一号
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