| 摘要 |
本发明系一种以镍/铜金属诱导横向成长多晶矽薄膜的方法，系用于TFT-LCD平面显示器上，其主要系于基板上分别蒸镀1至50nm厚度之铜金属(Cu)及镍金属(Ni)；再于蒸镀有铜(Cu)及镍(Ni)多层金属之样品上成长1至200nm厚度之非晶矽薄膜；最后将蒸镀有铜(Cu)、镍(Ni)多层金属及非晶矽薄膜之样品以600℃以下的温度退火快速形成一多晶矽薄膜，可以比传统的镍(Ni)单层金属诱导横向成长多晶矽薄膜快十倍以上；如是，可使本发明利用非晶矽氢薄膜于高温炉退火时具有在低温条件下快速成长出多晶矽薄膜的特点，藉以大幅减少制程的时间，而使得本技术能为工业界所采用。 |
