一种场发射元件

摘要

本发明揭示一种奈米碳管场发射元件，其包括一阴极，一奈米碳管阵列，该奈米碳管阵列由化学气相沈积法制备而成且包括一顶部及一生长根部，其中，该阴极与该奈米碳管阵列顶部电连接、该生长根部为场发射之电子发射端。本发明通过反向制程方式利用平整之奈米碳管阵列生长根部作为场发射元件之电子发射端，极大改善利用奈米碳管阵列端部作为电子发射端因其端部不平整而导致电子发射之不均匀性，提高场发射元件电子发射之性能。