化合物半导体磊晶基板及其制造方法

摘要

本发明系关于一种化合物半导体磊晶基板及其制造方法；也就是说，本发明之化合物半导体磊晶基板，系在使得InGaAs层成为通道层9并且使得含有n型杂质之AlGaAs层成为电子供应层6及12之变形通道高电子迁移率场效型电晶体所使用之化合物半导体磊晶基板，藉由使得构成通道层9之InGaAs层之In组成成为0.25以上，使得通道层9之In组成和膜厚成为最适当，以便使得在室温之通道层9之电子迁移率，成为8300cm^2／V．s以上。可以接合于通道层9之上下而层积膜厚4nm以上之GaAs层8及10。