发明名称 | 分离闸极快闪记忆体胞及其制造方法 | ||
摘要 | 一种分离闸极快闪记忆胞,系由具有一沟渠之基底、设置于基底上,且由穿隧介电层、浮置闸极与顶盖层所构成之堆叠结构、分别设置于堆叠结构之侧壁的第一闸间介电层与第二闸间介电层,且第一闸间介电层与沟渠之顶部相邻、设置于堆叠结构之第一闸间介电层侧与沟渠之侧壁之选择闸极、设置于选择闸极与基底之间的选择闸极介电层、设置于堆叠结构之第二闸间介电层侧的基底中之源极区与设置于选择闸极一侧之沟渠底部之汲极区。 | ||
申请公布号 | TW200421600 | 申请公布日期 | 2004.10.16 |
申请号 | TW092107603 | 申请日期 | 2003.04.03 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 张格荥;许汉杰 |
分类号 | H01L27/115;H01L21/8246 | 主分类号 | H01L27/115 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行一路十二号 |