用以测试使用崩溃电压之半导体记忆元之超薄氧化层的方法

摘要

本发明揭露一种测试记忆元之方法。记忆元拥有资料储存单元建构在如闸极氧化层之超薄电介质周围，用以藉由将超薄电介质加压至崩溃(breakdown)而设定记忆元之漏泄电流量以储存资料。本发明之主要用途，在于确认资料储存单元下方之闸极氧化层品质足以运作，记忆体阵列之记忆元测试可经由施与电压通过资料储存单元之闸极氧化层并且量取其电流而实施，超过预定范围之电流值可用以辨识出不良之记忆元。