Plasmabehandlungseinrichtung, Plasmabehandlungsverfahren, und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements,申请号DE20021096931T-传众专利搜索

发明名称	Plasmabehandlungseinrichtung, Plasmabehandlungsverfahren, und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
摘要
申请公布号	DE10296931(T5)	申请公布日期	2004.10.14
申请号	DE20021096931T	申请日期	2002.06.24
申请人	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO. LIMITED, KADOMA	发明人	ARITA, KIYOSHI;IWAI, TETSUHIRO;HAJI, HIROSHI;SAKEMI, SHOJI
分类号	H01J37/32;H01L21/00;H01L21/302;H01L21/304;H01L21/3065;H01L21/461;H01L21/68;H01L21/78;H05H1/24;(IPC1-7):H05H1/24	主分类号	H01J37/32
代理机构		代理人
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