Herstellungsverfahren für ein elektronisches Bauteil

摘要

Es ist eine Aufgabe, ein Halbleiterbauteil mit einer eingebetteten Mehrlagenverdrahtungsstruktur bereitzustellen, bei der die Entstehung eines Auflösungsfehlers einer Resistmarke unterdrückt und die Entstehung einer durch den Auflösungsfehler verursachten fehlerhaften Verdrahtung reduziert ist. Nachdem ein bis zu einer Ätzsperrschicht (4) reichendes Durchkontaktierungsloch (7) ausgebildet wurde, wird ein Ausheizen bei 300 bis 400 DEG C durchgeführt, wobei das Durchkontaktierungsloch (7) offen ist. Als Ausheizverfahren kann sowohl ein Verfahren, das eine Heizplatte einsetzt, als auch ein Verfahren, das einen Wärmebehandlungsofen einsetzt, verwendet werden. Um eine Auswirkung auf eine bereits hergestellte untere Verdrahtung (20) zu unterdrücken, wird die Erwärmung eine kurze Zeit von ca. 5 bis 10 Minuten unter Verwendung der Heizplatte durchgeführt. In der Folge kann ein Nebenprodukt, das in einer Grenzfläche einer oberen Schutzschicht (6) und einer dielektrischen Zwischenlagenschicht (5) mit niedriger dielektrischer Konstante verbleibt, und ein Nebenprodukt, das in einer Grenzfläche der Ätzsperrschicht (4) und der dielektrischen Zwischenlagenschicht (5) mit niedriger dielektrischer Konstante verbleibt, ausgeleitet werden, so dass eine Menge des restlichen Nebenprodukts reduziert werden kann.