互补型金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

摘要

一种本发明的CMOS图像传感器，具有在1.2-4.5V的偏压下完全耗尽的低压光电二极管。该光电二极管包括：P-epi层；将P-epi层分成场区和有源区的场氧化层；形成在P-epi层的N^-区，其中第一杂质区与隔离层分隔开；以及形成在P-epi层下面和N^-区上面的导电类型的P⁰区，其中P⁰区的宽度宽于N^-区的宽度，从而使P⁰区的一部分形成在P-epi层上，由此使P⁰区具有与P-epi层相同的电位。

主权项

1.一种在互补金属氧化物半导体图像传感器件中使用的光电二极管，包括：第一导电类型的半导体层；将半导体层分成场区和有源区的隔离层；第二导电类型的第一杂质区，形成在半导体层内，其中第一杂质区与隔离层分隔开；以及第一导电类型的第二杂质区，形成在半导体层的表面下面和第一杂质区上面，其中第二杂质区的宽度宽于第一杂质区的宽度，从而使第二杂质区的一部分形成在半导体层上，由此使第二杂质区具有与半导体层相同的电位。