| 发明名称 | 在半导体基片上形成沟槽绝缘的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改进的形成沟槽绝缘的方法，其中，用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺，以至少两种不同气体组成的混合气体作为硅源气体，形成富含硅氮化物层作为蚀刻半导体基片的掩模。这种改进的方法和富含硅氮化物层能防止栅氧化层的可靠性降低，并且晶片上及每一批都具有良好的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN1171291C | 申请公布日期 | 2004.10.13 |
| 申请号 | CN98124471.8 | 申请日期 | 1998.11.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 黄錤铉;金炳錤 |
| 分类号 | H01L21/318 | 主分类号 | H01L21/318 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王维玉 |
| 主权项 | 1.一种利用氮化物蚀刻掩模形成沟槽绝缘的方法，所述的方法包括下列步骤：在半导体基片上形成填塞氧化层；以及用低压化学气相淀积法形成富含硅氮化物层，其中所述的低压化学气相淀积法中采用SiH2Cl2和SiH4气体组成的混合气体作为硅源气体。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||