发明名称 | 双金属镶嵌结构开口的制造方法 | ||
摘要 | 一种双金属镶嵌结构开口的制造方法,适用于形成有一介电层的基底,此方法包括:于介电层上形成具有第一开口的第一光致抗蚀剂层,其中第一开口裸露预定于介电层中形成介层窗的位置。之后,于基底上方形成一层缓冲层,接着,于第一光致抗蚀剂层上方形成具有第二开口的第二光致抗蚀剂层,其中第二开口裸露预定形成导线的位置,且第一开口与第二开口组成一金属内连线结构图案。接着,以第一与第二光致抗蚀剂层为掩模,于该介电层中形成具有介层窗开口与导线沟渠的一双金属镶嵌结构开口。 | ||
申请公布号 | CN1171303C | 申请公布日期 | 2004.10.13 |
申请号 | CN00133974.5 | 申请日期 | 2000.11.13 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄义雄;黄俊仁 |
分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 1.一种双金属镶嵌结构开口的制造方法,适用于一基底,该基底上形成有一介电层,此方法包括:于该介电层上形成一第一光致抗蚀剂层,该第一光致抗蚀剂层具有一第一开口,其中该第一开口裸露预定于该介电层中形成一介层窗开口的一位置;于该基底上方形成一缓冲层;于该缓冲层上形成一第二光致抗蚀剂层,该第二光致抗蚀剂层具有一第二开口,其中该第二开口裸露预定形成一导线沟渠的一位置,而该第一开口与第二开口组成一金属内连线结构图案;以及以该第一与该第二光致抗蚀剂层为掩模,于该介电层中形成具有一介层窗开口与一导线沟渠的一双金属镶嵌结构开口。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区 |