半导体器件的制造方法

摘要

本发明的目的是提供一种可实现低成本而且高性能的纵型MOSFET的制造方法。通过用离子注入法对半导体衬底注入杂质并进行热氧化，可使由沟槽和半导体衬底平坦部形成的形状变得平滑。由此提高了栅绝缘膜耐压。此外，在本发明的半导体器件的制造方法中，由于在形成沟槽并在上述沟槽内形成栅电极后，形成成为源的N+扩散层，所以因N+扩散层的再扩散而引起的源与漏之间的漏泄电流不至增大。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：在第一导电类型的半导体衬底上形成第二导电类型的半导体层的工序；在上述第二导电类型的半导体层内引入杂质的工序；形成贯通上述第二导电类型的半导体层、抵达上述第一导电类型的半导体衬底的沟槽的工序；在上述第一导电类型的半导体衬底表面、上述第二导电类型的半导体层表面、上述沟槽的侧部和底部形成绝缘膜的工序；在上述沟槽内形成栅电极的工序；以及在上述第二导电类型的半导体层内形成第一导电类型的高浓度层的工序。