| 发明名称 | 绝缘体上外延硅(SOI)沟槽光电二极管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件(以及形成器件的方法)包括形成在衬底表面上的绝缘体上外延硅(SOI)晶片。晶片表面中的隔离沟槽环绕交替的p型沟槽和n型沟槽，并电隔离器件与衬底，由此使器件有效地用做光电电路中的差分检测器。 | ||
| 申请公布号 | CN1537333A | 申请公布日期 | 2004.10.13 |
| 申请号 | CN01816745.4 | 申请日期 | 2001.09.28 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 扬·H·夸克;丹·默伊;马克·里特;丹尼斯·罗杰斯;杰弗里·J·维尔瑟 |
| 分类号 | H01L31/101;H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/105 | 主分类号 | H01L31/101 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.一种用于光电检测的半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的晶片，所述晶片具有硅层和绝缘层，绝缘层位于硅层和衬底之间；以及形成在所述晶片的所述硅层内的多个p掺杂和n掺杂交替的沟槽。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||