发明名称 |
制作薄膜晶体管液晶显示器的方法 |
摘要 |
本发明涉及制作薄膜晶体管液晶显示器的方法,其中,在一优选实施例中,先在一基底的一栅极上依序形成一栅极绝缘层、一非晶硅层与一金属层,再在该金属层上形成一第一光阻层与一包含有一开口的第二光阻层。接着进行两次蚀刻制程,以形成一源极与一漏极。最后形成一保护层,覆盖于该基底上。本发明的制作方法可使由开口所暴露出的第一光阻层具有一均匀的表面,确保后续进行第二蚀刻制程时,不会发生过度蚀刻或蚀刻不足的问题,而所生成的源极与漏极的宽度也能符合产品规格,从而可大大提高产品生产率和优化制造工艺。 |
申请公布号 |
CN1536416A |
申请公布日期 |
2004.10.13 |
申请号 |
CN03108478.8 |
申请日期 |
2003.04.11 |
申请人 |
广辉电子股份有限公司 |
发明人 |
许祝维 |
分类号 |
G02F1/136;G03F7/00;H01L29/786 |
主分类号 |
G02F1/136 |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王永建 |
主权项 |
1.一种在一基底上制作一薄膜晶体管液晶显示器的方法,该方法包含有下列步骤:在该基底上沉积一第一金属层;对该第一金属层进行一第一光蚀刻制程,以在该基底表面形成该薄膜晶体管的一栅极;依序在该栅极上形成一栅极绝缘层、一非晶硅层与一第二金属层;在该第二金属层上形成一第一光阻层;在该第一光阻层上形成一第二光阻层,该第二光阻层包含有一开口,以暴露部分的该第一光阻层;利用该第一光阻层进行一第一蚀刻制程,以去除未被该第一光阻层所覆盖的该第二金属层与该非晶硅层;利用该第二光阻层,透过该开口进行一第二蚀刻制程,去除未被该第二光阻层所覆盖的该第一光阻层与该开口下方的该第二金属层,以形成该薄膜晶体管的一源极与一漏极;以及在该基底上形成一保护层。 |
地址 |
中国台湾 |