带有有利于表面状态钝化的层的器件结构

摘要

本发明公开了一种制造器件的方法，它包括形成一种有利于表面状态的钝化的结构的步骤。这种结构包括作为该器件结构的一部分形成的一个氧氮化物层。当被加热时，该氧氮化物有利于表面状态的钝化。

主权项

1.一种具有栅极的半导体器件，所述半导体器件包括：一硅衬底；所述衬底上形成栅介质的一介电层；所述介电层上的包含半导体材料层和硅化物层的一复合叠层栅极；邻近所述叠层栅极的一侧壁隔离层；和所述硅衬底和栅极上的一富氢层。