| 发明名称 | 具有位于基底内的选择栅极的闪存单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有位于基底内的选择栅极的闪存单元及其制造方法，此闪存单元结构包括：一半导体基底；一浮置栅极，其设置于上述半导体基底上；一字符线，沿一第一方向延伸并覆盖于浮置栅极及邻近的半导体基底上；一沟槽，设置于邻近上述字符线的一侧边的半导体基底内；一选择栅极，垂直地设置于上述沟槽内并部分覆盖于浮置栅极上；一源极，设置于邻近为字符线所覆盖的浮置栅极另一侧的半导体基底内；以及一漏极，设置于选择栅极下方的半导体基底内。 | ||
| 申请公布号 | CN1536670A | 申请公布日期 | 2004.10.13 |
| 申请号 | CN03108680.2 | 申请日期 | 2003.04.03 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 许正源;洪至伟;吴齐山;黄明山 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种具有位于基底内的选择栅极的闪存单元，包括：一半导体基底；一浮置栅极，设置于该半导体基底上；一字符线，沿一第一方向延伸并覆盖于该浮置栅极及邻近的半导体基底上；一沟槽，设置于邻近该字符线的一侧边的该半导体基底内；一选择栅极，垂直地设置于该沟槽内并部分覆盖于该浮置栅极上；一源极，设置于邻近为该字符线所覆盖的浮置栅极另一侧的该半导体基底内；以及一漏极，设置于该选择栅极下方的半导体基底内。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||