在制造硅双极晶体管时制作基极区和开发射极窗口的方法及硅双极晶体管

摘要

公开了一种在硅双极晶体管制造中用来制作基极区和用来开发射极窗口的方法，它包含下列步骤：提供具有器件隔离(3)的硅衬底(1)；在所述衬底中或其顶部制作第一基极区(5)；在所述第一基极区上制作薄的氧化物层(7)；在所述薄的氧化物层顶部制作硅层(9)，所述硅层将作为第二基极区；对所述硅层进行离子注入；在所述硅层顶部制作电介质层(11)，所述电介质用来隔离所述晶体管的基极区和发射极区；对这样得到的结构进行图形化，以便确定发射极窗口(15)；对所述确定的发射极窗口区域内的结构进行蚀刻，穿过电介质层和硅层，其中薄的氧化物层被用作蚀刻停止层，从而形成发射极窗口；以及随后对结构进行热处理，使氧化物破裂，致使第一和第二基极区彼此接触。

主权项

1.一种在硅双极晶体管制造中用来制作基极区和用来开发射极窗口的方法，其特征是下列步骤：-提供具有器件隔离(3)的硅衬底(1)；-在所述衬底中或其顶部制作第一基极区(5)；-在所述第一基极区上制作薄的氧化物层(7)；-在所述薄的氧化物层的顶部制作硅层(9)，所述硅层将作为第二基极区；-在所述硅层顶部制作电介质层(11)，所述电介质用来隔离所述晶体管的基极区和发射极区；-对这样得到的结构进行图形化，以便确定发射极窗口(15)；-对所述确定的发射极窗口区域内的结构进行蚀刻，穿过电介质层和硅层，其中薄的氧化物层被用作蚀刻停止层，从而形成发射极窗口；以及-随后对结构进行热处理，使氧化物破裂，致使第一和第二基极区彼此接触。