半导体器件及其制造方法

摘要

接合焊盘和金线的球部分之间的粘附力得以改善以提高半导体器件的可靠性。约1wt.％的Pd含在金线中，金线用于连接形成在布线基板上的电极焊盘和形成在半导体芯片上的电极焊盘(主要由Al形成的顶层布线的露出区域)，由此，在形成在半导体芯片上的电极焊盘和金线的球部分之间的接合部分中，抑制了Au和Al的相互扩散，以防止PCT(压力锅蒸煮试验)之后形成Au₄Al。由于防止了易于被腐蚀的Au₄Al的形成，即使形成在半导体芯片上的电极焊盘的间距小于65μm并且每个金线的球部分的直径小于55μm或每个金线的线部分的直径不大于25μm的情况中，也可以得到需要的金线接合强度。同样在顶层布线很厚或者很薄或者接合温度很低的情况中也可以确保需要的接合强度。

主权项

1、一种半导体器件，包括：(a)半导体芯片，在它的主表面上形成有多个第一电极焊盘，第一电极焊盘为含有铝(Al)作为主要成分的金属膜的露出区域；(b)布线基板，在其上安装有半导体芯片并且具有形成在其主表面上的多个第二电极焊盘；以及(c)将第一和第二电极焊盘相互连接的导电线，导电线含有金(Au)作为主要成分，并且包括形成在第一电极焊盘上的球部分、形成在第二电极焊盘上的接合部分以及将球部分和接合部分相互连接的线部分，球部分通过Al和Au的合金层接合到第一电极焊盘；(d)其中导电线中含有钯(Pd)，以及(e)其中相邻第一电极焊盘的中心部分之间的距离短于65μm。