| 主权项 |
1.一种扁平型超电容之封装方法,该封装方法系至少包含下列之步骤:(1)裁切标准规格之电极板;(2)在电极板上周边点胶以形成胶墙;(3)上、下两列相对并以错位方式堆叠;(4)置入模具中真空处理后并灌注电解液;(5)加压;以及(6)软熔热封使上、下电极板间之胶墙密合后即可完成。2.如申请专利范围第1项所述之扁平型超电容之封装方法,更包含:在该结构之上、下电极板之外面上形成接触电极。3.如申请专利范围第1项所述之扁平型超电容之封装方法,其中:该软熔胶墙步骤系以一热源加热该环状胶墙。4.如申请专利范围第1项所述之扁平型超电容之封装方法,其中:该软熔胶墙步骤系以超音波加热该环状胶墙。5.如申请专利范围第1项所述之扁平型超电容之封装方法,其中:该软熔胶墙步骤系以红外线加热该环状胶墙。6.一种扁平型超电容之结构,其中该结构系由:一长电极板,其中一面之四周点注有胶墙,并形成环状之容置空间;一短电极板,其中一面之四周点注有胶墙,并形成环状之容置空间;由上述之长电极板及短电极板间隔一适当距离作横向排列,上、下列具有胶墙之面相对应,并间隔一适当距离,软熔后之胶墙胶合后形成一密闭之容置空间,内并包覆有电解液者。7.如申请专利范围第6项所述之扁平型超电容之结构,其中:可增加长电极板之排列,以增加其电压。8.如申请专利范围第6项所述之扁平型超电容之结构,其中:系可将该结构再行封装于容器内,并于容器外设置接触电极者。9.如申请专利范围第8项所述之扁平型超电容之结构,其中:该接触电极为钨氮化物者。10.如申请专利范围第6项所述之扁平型超电容之结构,其中:该结构内所包覆之电解液为多金属氧化物聚合体者。11.如申请专利范围第6项所述之扁平型超电容之结构,其中:该胶墙为热可塑性树脂材料组成。12.如申请专利范围第6项所述之扁平型超电容之结构,其中:该长电极板之长度为短电板之两倍。图式简单说明:第1A图,为习知电容结构之组成示意图。第1B图,为习知电容结构之制程示意图。第2A图,为习知超电容之结构组成示意图。第2B图,为第2A图之电信连结示意图。第3图,为第2A图之立体外观图。第4图,为先前已揭露之超电容结构示意图。第5图,为先前已揭露之超电容堆叠状态示意图。第6图,为先前已揭露之超电容应用状态示意图。第7图,为本发明之结构立体外观图。第8图,为本发明之结构电信连结方法示意图。第9图,为本发明之结构组成外观立体图。第10图,为本发明之结构排列方法剖视图。第11图,为本发明之制程(填充电解液)方法示意图。第12图,为本发明之另一制程(加压)方法示意图。第13图,为本发明制程方法完成后之成品结构示意图。 |
