| 主权项 |
1.一种降低沟槽深宽比的方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一沟槽于该基底中;形成一顺应的第一绝缘层于该沟槽的表面上;形成一顺应的第二绝缘层于该第一绝缘层上;形成一顺应的第三绝缘层于该第二绝缘层上;非等向性蚀刻该等第一、第二与第三绝缘层,而形成一剩余的第一绝缘层于该沟槽的侧壁上,一剩余的第二绝缘层于该第一绝缘层上,以及一剩余的第三绝缘层于该第二绝缘层上;以及使用一蚀刻溶液对该等剩余的第一、第二与第三绝缘层进行一蚀刻程序,而蚀刻去除该剩余的第三绝缘层、部分该剩余的第二绝缘层以及部分该剩余的第一绝缘层;其中该蚀刻溶液对该第一绝缘层具有一第一蚀刻速率,该蚀刻溶液对该第二绝缘层具有一第二蚀刻速率,该蚀刻溶液对该第三绝缘层具有一第三蚀刻速率;其中该第一蚀刻速率小于该第二蚀刻速率,且该第二蚀刻速率小于该第三蚀刻速率。2.如申请专利范围第1项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中该等剩余的第一、第二与第三绝缘层之高度系不高于该基底之表面。3.一种降低沟槽深宽比的方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一沟槽于该基底中;利用高密度电浆化学气相沉积法(HDPCVD),形成一顺应的富矽氧化层于该沟槽的表面上;利用高密度电浆化学气相沉积法,形成一顺应的第一氧化层于该富矽氧化层上;利用低压化学气相沉积法(LPCVD),形成一顺应的第二氧化层于该第一氧化层上;非等向性蚀刻该富矽氧化层、该第一氧化层与该第二氧化层,而形成一剩余的富矽氧化层于该沟槽的侧壁上,一剩余的该第一氧化层于该剩余的富矽氧化层上,以及一剩余的第二氧化层于该剩余的该第一氧化层上;以及使用一蚀刻溶液对该等剩余的富矽氧化层、第一氧化层与第二氧化层进行一蚀刻程序,而蚀刻去除该剩余的第二氧化层、部分该剩余的第一氧化层以及部分该剩余的富矽氧化层;其中该蚀刻溶液对该富矽氧化层具有一第一蚀刻速率,该蚀刻溶液对该第一氧化层具有一第二蚀刻速率,该蚀刻溶液对该第二氧化层具有一第三蚀刻速率;其中该第一蚀刻速率小于该第二蚀刻速率,且该第二蚀刻速率小于该第三蚀刻速率。4.如申请专利范围第3项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中该等剩余的富矽氧化层、第一氧化层与第二氧化层之高度系不高于该基底之表面。5.如申请专利范围第3项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中形成该槽沟的步骤,包括:形成一图案化的遮蔽层于该基底表面上;以及以该图案化的遮蔽层为罩幕,蚀刻该基底而形成该沟槽于该基底中。6.如申请专利范围第5项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中该遮蔽层系包括一垫氧化层和一氮化矽层。7.如申请专利范围第3项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中在形成该富矽氧化层之前,更包括顺应性地形成一衬里(linear)层于该沟槽的底部和侧壁上。8.如申请专利范围第3项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中该第一氧化层系经由HDPCVD所形成之二氧化矽(SiO2)层。9.如申请专利范围第3项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中该第二氧化层系LPCVD TEOS所形成之二氧化矽(SiO2)层。10.如申请专利范围第3项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中该蚀刻溶液系缓冲氧化矽蚀刻液(BOE)。11.如申请专利范围第10项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中该缓冲氧化矽蚀刻液对该富矽氧化层的蚀刻速率系200埃/分,该缓冲氧化矽蚀刻液对该第一氧化层的蚀刻速率系400埃/分,而该缓冲氧化矽蚀刻液对该第二氧化层的蚀刻速率系800埃/分。12.如申请专利范围第3项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中该富矽氧化层的厚度系50~100埃,该第一氧化层的厚度系100~120埃,而该第二氧化层的厚度系100~150埃。13.一种降低沟槽深宽比的方法,包括下列步骤:提供一矽基底;形成一沟槽于该矽基底中;利用高密度电浆化学气相沉积法(HDPCVD),形成一顺应的富矽氧化矽层于该沟槽的表面上,其中该富矽氧化矽层的厚度系50~100埃;利用高密度电浆化学气相沉积法,形成一顺应的第一氧化矽层于该富矽氧化矽层上,其中该第一氧化矽层的厚度系100~120埃;利用低压化学气相沉积法(LPCVD),形成一顺应的第二氧化矽层于该第一氧化矽层上,其中该第二氧化矽层的厚度系100~150埃;非等向性蚀刻该富矽氧化矽层、该第一氧化矽层与该第二氧化矽层,而形成一剩余的富矽氧化矽层于该沟槽的侧壁上,一剩余的该第一氧化矽层于该剩余的富矽氧化矽层上,以及一剩余的第二氧化矽层于该剩余的该第一氧化矽层上;以及使用一缓冲氧化矽蚀刻液(BOE)对该等剩余的富矽氧化矽层、第一氧化矽层与第二氧化矽层进行一蚀刻程序,而蚀刻去除该剩余的第二氧化矽层、部分该剩余的第一氧化矽层以及部分该剩余的富矽氧化矽层;其中该BOE溶液对该富矽氧化矽层具有一第一蚀刻速率,该BOE溶液对该第一氧化矽层具有一第二蚀刻速率,该BOE溶液对该第二氧化矽层具有一第三蚀刻速率;其中该第一蚀刻速率小于该第二蚀刻速率,且该第二蚀刻速率小于该第三蚀刻速率。14.如申请专利范围第13项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中该等剩余的富矽氧化矽层、第一氧化矽层与第二氧化矽层之高度系不高于该矽基底之表面。15.如申请专利范围第13项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中形成该槽沟的步骤,包括:形成一图案化的遮蔽层于该矽基底表面上;以及以该图案化的遮蔽层为罩幕,蚀刻该矽基底而形成该沟槽于该矽基底中。16.如申请专利范围第15项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中该遮蔽层系包括一垫氧化层和一氮化矽层。17.如申请专利范围第13项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中在形成该富矽氧化矽层之前,更包括顺应性地形成一衬里(linear)层于该沟槽的底部和侧壁上。18.如申请专利范围第13项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中该第一氧化矽层系经由HDPCVD所形成之二氧化矽(SiO2)层。19.如申请专利范围第13项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中该第二氧化层系LPCVD TEOS所形成之二氧化矽(SiO2)层。20.如申请专利范围第13项所述之降低沟槽深宽比的方法,其中该缓冲氧化矽蚀刻液对该富矽氧化层的蚀刻速率系200埃/分,该缓冲氧化矽蚀刻液对该第一氧化层的蚀刻速率系400埃/分,而该缓冲氧化矽蚀刻液对该第二氧化层的蚀刻速率系800埃/分。图式简单说明:第1A至1B图系习知之形成沟槽隔离区的制造流程剖面示意图;第1C图系习知之形成沟槽隔离区的缺点示意图;第2至9图系本发明实施例之形成沟槽隔离区的制造流程剖面示意图。 |
