| 主权项 |
1.一种包含评估元件之半导体装置,包含:复数个第一配线,其系由一第一配线层所组成;复数个第二配线,其系由一第二配线层所组成;以及介层洞,其连接该等第一配线与该等第二配线,其中该等第一配线与该等第二配线系各自以彼此间几近垂直的方向形成,而相应于以一指定之间距并列之该等第一配线,连接该等相邻之第一配线之该等第二配线系以该等第一配线之长度方向并列,且复数个电流路径以并联之形式形成。2.如申请专利范围第1项之包含评估元件之半导体装置,其中设置于该等第二配线之两端之该等介层洞之间的间距或该等第二配线之间的间距之至少其一设定为不小于用以测量由雷射所诱发之电流变化之光束的直径。3.一种包含评估元件之半导体装置,包含:复数个第一配线,其系由一第一配线层所组成;复数个第二配线,其系由一第二配线层所组成;以及介层洞,其连接该等第一配线及该等第二配线,其中并列复数个以该等介层洞交替地连接该等第一配线与该等第二配线所形成的电路,并藉由相互连接该等电路之中的每一个中相对应之配线的方式,以并联的形式形成复数个电流路径。4.如申请专利范围第3项之包含.评估元件之半导体装置,其中该等介层洞于该等电路之延伸方向之间的间距或该等介层洞于该等电路之并列方向之间的间距之至少其一设定为不小于用以测量由雷射所诱发之电流变化之光束的直径。图式简单说明:图1系一依据本发明之第一实施例,概要地显示可靠度评估元件之组态的俯视图。图2系一概要地显示习知之可靠度评估元件之组态的俯视图。图3系一依据本发明之第二实施例,概要地显示介层洞良率元件之组态的俯视图。图4系一概要地显示习知之介层洞良率元件之组态的俯视图。 |
