| 主权项 |
1.一种多重曝光微影方法,其包括以下步骤:决定复数个子布局的重叠参数;将该重叠参数输入一曝光系统;利用该曝光系统,将每一子布局曝光于一晶圆上的光阻,其中一指定子布局曝光之前,用一对应的重叠参数对该子布局执行一校正处理,以校正该子布局的一重叠,以及所有的子布局曝光后,显影该曝光的光阻。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该子布局安置在一个光罩上。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该曝光步骤包括对准该晶圆与该光罩之步骤,该晶圆上涂布该光阻。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该子布局安置在复数个光罩上。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该曝光步骤进一步包括在每一校正处理前对准该晶圆与一光罩之步骤,该晶圆上涂布该光阻,该光罩上安置要曝光的该子布局。6.如申请专利范围第1项之方法,其中一指定子布局的该重叠参数包括X轴和Y轴偏移量、晶圆在X和Y方向的比例、一区域在X和Y方向的放大率,或该晶圆与区域之间的旋转度与垂直度或其任意组合。7.如申请专利范围第1项方法,其中该校正处理包括:由该曝光系统执行一对准处理而决定一参数;用该曝光系统决定的该参数校正该重叠参数,以获得一对准参数;以及用该对准参数执行一重叠校正。8.一种多重曝光微影方法,其包括以下步骤:图案化一晶圆上的一第一层时,在一晶粒的边缘上形成复数个图框形第一重叠标记;将一第二层的布局分成两或多个子布局,以利用多重曝光微影方法图案化该第一层上的该第二层;在其上形成该第一重叠标记的该晶圆上涂布光阻,以图案化该第二层;将该子布局曝光于该光阻,其中在每一曝光处理中,在对准每一第一重叠标记的位置形成第二重叠标记;利用一测量系统决定该子布局的重叠参数;将该重叠参数输入该曝光系统;利用该曝光系统,将每一子布局曝光于该晶圆,其上图案化该第二层并涂布该光阻,其中一指定子布局曝光前,用一对应的重叠参数对该子布局执行一校正处理,以校正该子布局的一重叠;以及所有的子布局曝光后,显影该曝光的光阻。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该子布局安置在一光罩上,且进一步包括对准该光罩与该晶圆之步骤。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该子布局安置在复数个光罩上,且进一步包括在每一校正处理前对准该晶圆与一光罩之步骤,该光罩上安置要曝光的该子布局。11.如申请专利范围第8项之方法,其中该重叠参数包括X轴和Y轴偏移量、晶圆在X和Y方向的比例、一区域在X和Y方向的放大率,或该晶圆与区域之间的旋转度与垂直度或其任意组合。12.如申请专利范围第8项之方法,其中该校正处理包括:由该曝光系统执行一对准处理而决定一参数;用该曝光系统决定的该参数校正该重叠参数,以获得一对准参数;以及用该对准参数校正该重叠。13.一种机器可读程式储存装置,其有形地具体化该机器可执行之指令程式,以执行如申请专利范围第8项之方法步骤。14.一种多重曝光微影系统,其包括:一用以接收复数个子布局及对应之重叠参数之程式模组;一用以选择要曝光之一子布局的程式模组;以及一用于曝光每一子布局于一晶圆上之光阻的程式模组,其中一选定的手布局曝光前,用一对应的重叠参数在该选定的手布局上执行校正处理,以校正该选定子布局的一重叠。15.如申请专利范围第14项之系统,进一步包括一程式模组,其用于该子布局安置在一个光罩上时,对准该光罩与该晶圆一次。16.如申请专利范围第14项之系统,进一步包括一程式模组,当该子布局安置在复数个光罩上时,该模组用于在每一曝光处理前,对准该晶圆与该光罩,该光罩上安置要曝光的子布局。17.如申请专利范围第14项之方法,其中该重叠参数包括X轴和Y轴偏移量、晶圆在X和Y方向的比例、一区域在X和Y方向的放大率,或该晶圆与区域之间的旋转度与垂直度或其任意组合。18.如申请专利范围第14项之系统,进一步包括一程式模组,其藉由该曝光系统执行一对准处理而决定一参数,用该曝光系统决定的该参数校正该输入的重叠参数,以获得一对准参数,及用该对准参数执行一重叠校正。19.一种机器可读程式储存装置,其有形地具体化该机器可执行之指令程式,以执行多重曝光微影的方法步骤,该方法步骤包括:决定复数个子布局的重叠参数;将该重叠参数输入一曝光系统;利用该曝光系统,将每一子布局曝光于一晶圆上的光阻,其中一指定子布局曝光处理前,用一对应的重叠参数对该子布局执行一校正程式,以校正该子布局的一重叠;以及所有的子布局曝光后,显影该曝光的光阻。20.如申请专利范围第19项之程式储存装置,其中该子布局全部安置在一光罩上时,执行该曝光步骤的指令包括之指令,系执行对准该晶圆与该光罩的该步骤一次。21.如申请专利范围第19项之程式储存装置,其中该子布局安置在复数个光罩上时,执行该曝光步骤的指令包括之指令,系在每一校正处理前,执行对准该晶圆与一光罩的该步骤。22.如申请专利范围第19项之程式储存装置,其中该重叠参数包括X轴和Y轴偏移量、晶圆在X和Y方向的比例、一区域在X和Y方向的放大率,或该晶圆与区域之间的旋转度与垂直度或其任意组合。23.如申请专利范围第19项之程式储存装置,其中执行该校正处理的指令包括之指令,系执行以下步骤:由该曝光系统执行一对准处理而决定一参数;用该曝光系统决定的该参数校正该输入的重叠参数,以获得一对准参数;以及用该对准参数校正该重叠。图式简单说明:图1显示测量重叠的重叠标记。图2为传统的多重曝光微影方法的流程图。图3显示可用于多重曝光微影方法的各种布局。图4系传统的多重曝光微影方法的流程图,其中复数个子布局安置在一个光罩上。图5系传统的多重曝光微影方法的流程图,其中复数个子布局安置在复数个光罩上。图6显示对于传统的多重曝光微影方法,将数个子布局的重叠偏移量平均値用作预先确定的重叠参数时,产生错误的范例图。图7为依据本发明的一项具体实施例,多重曝光微影方法的流程图。图8为依据本发明的另一项具体实施例,多重曝光微影方法的流程图。图9和10显示依据本发明的一项具体实施例,校正子布局重叠的方法。图11显示依据本发明,校正每一子布局之重叠的效果范例图。 |
