| 主权项 |
1.一种制造一用于图案化一半导体晶圆之遮光罩之方法,包含:提供一空白遮光罩,包含一基板与一形成于该基板上之不透光材料;及利用一椭圆形能量光束,以椭圆或圆形特征图案化该不透光材料。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该椭圆形能量光束包含一长轴与一短轴,其中沿着能量光束长轴之一边缘系用于在晶圆上图案化椭圆特征。3.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含利用该遮光罩来制造一半导体装置。4.一种制造一用于图案化一半导体晶圆之遮光罩之方法,包含:提供一基板,包含一形成于该基板上之不透光材料;于该不透光材料上形成一图案,该图案之一部份具阶梯状边缘;及以一椭圆形能量光束,减少形成于该不透光材料上之阶梯状边缘。5.如申请专利范围第4项之方法,其中形成一图案包含,形成一图案以使该图案之至少一边缘的两侧面实质上彼此直角放置以形成一实质上直角转角,其中减少阶梯状边缘包含使直角转角平滑。6.如申请专利范围第5项之方法,其中形成一图案包含利用一圆形能量光束形成图案。7.如申请专利范围第4项之方法,其中该椭圆形能量光束包含一长轴与一短轴,其中沿着能量光束长轴之一边缘系用于移除阶梯状边缘。8.如申请专利范围第4项之方法,其中形成一图案包含形成椭圆或圆形特征。9.如申请专利范围第4项之方法,其中减少阶梯状边缘包含利用一雷射或电子能量光束。10.如申请专利范围第4项之方法,进一步包含利用该遮光罩图案化一半导体晶圆。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该图案化之半导体晶圆包含一磁性随机存取记忆体(MRAM)或动态随机存取记忆体(DRAM)装置。12.一种制造一用于图案化一半导体晶圆之遮光罩之方法,包含:提供一基板,包含一透明材料;沉积一不透光材料于基板上;利用一实质上圆形能量光束以形成一包含椭圆或圆形特征之图案于该不透光材料上,该等椭圆或圆形特征之一部份包含非期望之阶梯状边缘;及以一椭圆形能量光束至少移除该等椭圆或圆形特征之一部份之阶梯状边缘。13.如申请专利范围第12项之方法,其中椭圆或圆形特征之阶梯状边缘包含两侧面彼此实质上以直角放置以形成一实质上直角转角之至少一边缘,其中移除阶梯状边缘包含移除直角转角。14.如申请专利范围第13项之方法,其中椭圆形能量光束包含一长轴与一短轴,其中沿着能量光束长轴之一边缘系用于移除阶梯状边缘。15.如申请专利范围第14项之方法,其中移除椭圆或圆形特征之阶梯状边缘包含利用一雷射或电子能量光束。16.如申请专利范围第12项之方法,进一步包含利用该遮光罩以制造一半导体装置。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该制造之半导体装置包含一磁性随机存取记忆体(MRAM)或动态随机存取记忆体(DRAM)装置。18.一种制造一半导体装置之方法,包含:提供一半导体晶圆;以一遮光罩图案化该半导体晶圆,遮光罩包含利用一椭圆形能量光束形成之椭圆或圆形特征。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该遮光罩藉由一种方法制造,包含:提供一基板,包含一透明材料;沉积一不透光材料于该基板上;利用一实质上圆形能量光束以形成一包含椭圆或圆形特征之图案于该不透光材料上,该等椭圆或圆形特征之一部份包含非期望之阶梯状边缘;及以一椭圆形能量光束至少移除该等椭圆或圆形特征之一部份之阶梯状边缘。20.如申请专利范围第19项之方法,其中椭圆形能量光束包含一长轴与一短轴,其中沿着能量光束长轴之一边缘系用于移除该遮光罩之阶梯状边缘。21.如申请专利范围第19项之方法,其中移除遮光罩之阶梯状边缘包含利用一雷射或电子能量光束。22.如申请专利范围第18项之方法,进一步包含:沉积一光阻层于半导体晶圆上,其中该遮光罩用于图案化该光阻层。23.如申请专利范围第18项之方法,其中该制造之半导体装置包含一磁性随机存取记忆体(MRAM)或动态随机存取记忆体(DRAM)装置。24.一种图案化一半导体晶圆之方法,包含:提供具一表面之一半导体晶圆;沉积一光阻于该半导体晶圆表面上;以一能量光束图案化该光阻,其中该能量光束包含一具一椭圆形截面之光束;及利用该光阻图案化该晶圆表面。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该能量光束包含一雷射、离子光束或电子能量光束。26.如申请专利范围第24项之方法,其中图案化光阻包含形成椭圆或圆形特征。27.如申请专利范围第26项之方法,进一步包含:利用一实质上圆形能量光束以形成一包含椭圆或圆形特征之图案于该光阻上,该等椭圆或圆形特征之一部份包含非期望之阶梯状边缘;及以椭圆形能量光束至少部分移除该等椭圆或圆形特征之阶梯状边缘。图式简单说明:图1为常见雷射/电子图案产生器之区块图式,其用于图案化半导体制造方法之遮光罩;图2说明于先前技艺方法,具圆形截面,用于图案化遮光罩之雷射/电子光束截面观点;图3A显示具椭圆特征之先前技艺遮光罩,其藉由复数个重叠矩形图案形成,利用先前技艺之雷射/电子光束遮光罩图案化;图3B显示图3A中一放大之细部;图4显示根据本发明具体实施例,用于使遮光罩椭圆特征之曲线平滑之椭圆雷射/电子光束;图5为根据本发明具体实施例,用于使遮光罩图案之椭圆与圆形特征平滑,具椭圆截面之光束截面观点;图6显示根据本发明具体实施例,用于使遮光罩圆形特征曲线平滑之椭圆雷射/电子光束;及图7说明根据本发明具体实施例制造,用于图案化半导体晶圆之遮光罩。 |
