| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体之制造方法,其包含下列步骤:依序形成一第一金属层及一第一光阻层于一基板上;以一第一道光罩经曝光显影后图案化该第一光阻层,经蚀刻形成一闸极导线结构于该基板,并去除曝光后之该第一光阻层;依序形成一闸极绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层、一第二金属层及一第二光阻层于该闸极导线结构上;以一第二道光罩经曝光显影后图案化该第二光阻层,经蚀刻形成一源极、一汲极于该欧姆接触层上,形成一半导体通道于该源极及该汲极之间,并去除曝光后之该第二光阻层;形成一第三光阻层于包含该源极、该汲极、该半导体通道及该半导体层之该基板上,以一第三道光罩经曝光显影后图案化该第三光阻层,经蚀刻形成一岛状电晶体区域,并去除曝光后之该第三光阻层;依序形成一保护层及一第四光阻层于包含该岛状电晶体区域之该基板;以一第四道光罩经曝光显影后图案化该第四光阻层,经蚀刻形成具有一接触孔之一保护层,并去除曝光后之该第四光阻层;依序形成一画素电极及一第五光阻层于该保护层上;及以一第五道光罩经曝光显影后图案化该第五光阻层,经蚀刻形成一画素电极经该接触孔与该汲极相连,并去除曝光后之该第五光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体制造方法,其中该第一金属层系可选自铝、铬与钼的组合中之其中一种。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体制造方法,其中该第二金属层系可选自铝、铬与钼的组合中之其中一种。4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体制造方法,其中该保护层的组成系可为氮化矽或二氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体制造方法,其中该画素电极系为透明之氧化铟锡组成。6.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体制造方法,其中该半导体通道系以该源极及该汲极上之曝光后之该第二光阻层作为遮罩,经回通道蚀刻制程(back channel etching, BCE)形成。7.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体制造方法,其中该闸极导线结构系以乾蚀刻或湿蚀刻该第一金属层形成于该基板。8.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体制造方法,其中该源极及该汲极系以乾蚀刻或湿蚀刻该第二金属层形成于该欧姆接触层上,该源极与该汲极之间以空隙隔开,且该空隙露出部份该欧姆接触层。9.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体制造方法,其中该半导体通道的形成包括以该第二道光罩作为遮罩并乾蚀刻该露出之该欧姆接触层,该半导体通道露出该半导体层。10.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体制造方法,其中该保护层之该接触孔系经乾蚀刻形成,该接触孔露出该汲极。11.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体制造方法,其中该画素电极系经湿蚀刻形成,且经该接触孔与该汲极相连。12.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体制造方法,其中该半导体层系由非晶矽组成。13.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体制造方法,其中该欧姆接触层系为N型高掺杂矽层。图式简单说明:第1图为传统液晶显示器的透视图;第2A图至第2F图为习知技术五道光罩薄膜电晶体之截面图,显示其制造流程;第3图为习知技术五道光罩薄膜电晶体之平面图;及第4A图至第4F图为本发明五道光罩薄膜电晶体之截面图,显示其制造流程。 |
