| 主权项 |
1.一种接脚垫片之保护方法,其中该接脚垫片系位于一半导体底材上,而该半导体底材内形成有复数个半导体元件,该方法至少包含:形成一有机保护层于该接脚垫片上,其中该接脚垫片至少经过一点探针量测制程。2.如申请专利范围第1项所述之保护方法,其中该脚垫片系由铝铜合金所形成。3.如申请专利范围第1项所述之保护方法,其中该有机保护层可利用旋转涂布(Spin)之方式、喷涂(spread)之方式或印刷(print)之方式来形成。4.如申请专利范围第1项所述之保护方法,其中该有机保护层之材料为苯并三唑(Benzotriazoles)或苯并咪唑(Benzimidazoles)。5.如申请专利范围第1项所述之保护方法,其中该有机保护层所形成之厚度约为1000埃至5m。6.一种接脚垫片之保护方法,其中该接脚垫片系位于一半导体底材上,而该半导体底材内形成有复数个半导体元件,该方法至少包含:执行一点探针量测制程于该接脚垫片上;形成一有机保护层于该接脚垫片上;以及执行该半导体底材之切割制程。7.如申请专利范围第6项所述之保护方法,其中该脚垫片系由铝铜合金所形成。8.如申请专利范围第6项所述之保护方法,其中该有机保护层可利用旋转涂布(Spin)之方式、喷涂(spread)之方式或印刷(print)之方式来形成。9.如申请专利范围第6项所述之保护方法,其中该有机保护层之材料为苯并三唑(Benzotriazoles)或苯并咪唑(Benzimidazoles)。10.如申请专利范围第6项所述之保护方法,其中该有机保护层所形成之厚度约为1000埃至5m。图式简单说明:第一图绘示一传统的接脚垫片结构。第二A图至第二B图所示为以点探针测试电性之流程。第三图所示为于切割后部分之半导体底材被暴露出来之情况。第四图所示为接脚垫片结构。第五A图至第五B图所示为以点探针测试本发明接脚垫片电性之流程。第六图所示为本发明于完成点探针之量测后,于接脚垫片与保护层之表面成长一层有机保护层之概略图。 |
