| 主权项 |
1.一种使用可弃式间隙壁(Disposable Spacer)之金氧半场效电晶体(MOSFET)的制造方法,至少包括提供一基材,其中在该基材上形成有一闸极结构;形成一轻掺杂汲极(Light Doped Drain;LDD)区于该基材中,其中该轻掺杂汲极区系延伸至部分之该闸极结构的下方;于该基材和该闸极结构上依序形成一垫氧化层和一第一氮化矽(Si3N4)层;于该闸极结构之一侧壁(Sidewall)上形成一氧化矽间隙壁,其中该氧化矽间隙壁覆盖住部分之该第一氮化矽层;进行一第一源极/汲极掺杂的步骤,以在该基材中形成一第一源极/汲极重掺杂区,其中该第一源极/汲极重掺杂区系延伸至部分之该氧化矽间隙壁的下方;去除该氧化矽间隙壁;形成一氮化矽间隙壁于该闸极结构之该侧壁上;去除部分之该垫氧化层,以暴露出该氮化矽间隙壁外侧之部分的该基板和该闸极结构的一顶面;以及形成一金属矽化物(Salicide)层于该部分的该基材中和该闸极结构的该顶面上,其中该金属矽化物层系延伸至部分之该氮化矽间隙壁的下方。2.如申请专利范围第1项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该形成该氮化矽间隙壁的步骤至少包括:去除部分之该第一氮化矽层,直到约暴露出位于该基材上和该闸极结构之顶面的部分之该垫氧化层,其中另一部分之该第一氮化矽层形成该氮化矽间隙壁。3.如申请专利范围第1项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该形成该氮化矽间隙壁的步骤至少包括:沉积一第二氮化矽层于该闸极结构的该侧壁上;以及去除部分之该第一氮化矽层和部分之该第二氮化矽层,直到约暴露出位于该基材上和该闸极结构之顶面的部分之该垫氧化层,其中另一部分之该第一氮化矽层和另一部分之该第二氮化矽层结合成该氮化矽间隙壁。4.如申请专利范围第1项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该氮化矽间隙壁的宽度小于该氧化矽间隙壁的宽度。5.如申请专利范围第1项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该氧化矽间隙壁的宽度为约400埃至约2000埃。6.如申请专利范围第1项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该氮化矽间隙壁的宽度为约150埃至约350埃。7.如申请专利范围第1项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该氧化矽间隙壁系以四乙氧基矽烷(TEOS)制程来形成。8.如申请专利范围第1项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该第一氮化矽层系以低压化学气相沉积(Low Pressure CVD;LPCVD)法来形成。9.如申请专利范围第1项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该垫氧化层系以四乙氧基矽烷(TEOS)制程来形成。10.如申请专利范围第1项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该垫氧化层的厚度为约30埃到100埃之间。11.如申请专利范围第1项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该第一氮化矽层的厚度为约100埃到500埃之间。12.如申请专利范围第1项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中在形成该金属矽化物层于该基材中之前,该氮化矽间隙壁为罩幕,来进行一第二源极/汲极掺杂的步骤,以在该基材中形成一第二源极/汲极重掺杂区,其中该第二源极/汲极重掺杂区系延伸至部分之该氮化矽间隙壁的下方。13.如申请专利范围第11项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该第一源极/汲极掺杂的步骤和该第二源极/汲极掺杂的步骤系使用离子植入(Ion Implantation)。14.如申请专利范围第1项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该基材为一超薄(Ultra-thin)的SOI(Silicon On Insulator;绝缘层上有矽)基材。15.如申请专利范围第1项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该除该氧化矽间隙壁的步骤系使用稀释的氢氟酸(HF)。16.一种使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,至少包括提供一基材,其中在该基材上形成有一闸极结构;形成一轻掺杂汲极区于该基材中,其中该轻掺杂汲极区系延伸至部分之该闸极结构的下方;于该基材和该闸极结构上依序形成一垫氧化层和一第一氮化矽层;于该闸极结构之一侧壁上形成一氧化矽间隙壁,其中该氧化矽间隙壁覆盖住部分之该第一氮化矽层;进行一第一源极/汲极掺杂的步骤,以在该基材中形成一第一源极/汲极重掺杂区,其中该第一源极/汲极重掺杂区系延伸至部分之该氧化矽间隙壁的下方;去除该氧化矽间隙壁;沉积一第二氮化矽层于该闸极结构的该侧壁上;去除部分之该第一氮化矽层和部分之该第二氮化矽层,直到约暴露出位于该基材上和该闸极结构之顶面的部分之该垫氧化层,其中另一部分之该第一氮化矽层和另一部分之该第二氮化矽层结合成一氮化矽间隙壁;去除部分之该垫氧化层,以暴露出该氮化矽间隙壁外侧之部分的该基板和该闸极结构的一顶面;以及形成一金属矽化物层于该部分的该基材中和该闸极结构的该顶面上,其中该金属矽化物层系延伸至部分之该氮化矽间隙壁的下方。17.如申请专利范围第16项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该氮化矽间隙壁的宽度小于该氧化矽间隙壁的宽度。18.如申请专利范围第16项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该氧化矽间隙壁的宽度为约400埃至约2000埃。19.如申请专利范围第16项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该氮化矽间隙壁的宽度为约150埃至约350埃。20.如申请专利范围第16项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该氧化矽间隙壁系以四乙氧基矽烷制程来形成。21.如申请专利范围第16项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该第一氮化矽层和该第二氮化矽层系以低压化学气相沉积法来形成。22.如申请专利范围第16项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该垫氧化层系以四乙氧基矽烷制程来形成。23.如申请专利范围第16项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该垫氧化层的厚度为约30埃到100埃之间。24.如申请专利范围第16项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该第一氮化矽层的厚度为约100埃到500埃之间。25.如申请专利范围第16项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中在形成该金属矽化物层于该基材中之前,该氮化矽间隙壁为罩幕,来进行一第二源极/汲极掺杂的步骤,以在该基材中形成一第二源极/汲极重掺杂区,其中该第二源极/汲极重掺杂区系延伸至部分之该氮化矽间隙壁的下方。26.如申请专利范围第25项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该第一源极/汲极掺杂和该第二源极/汲极掺杂的步骤系使用离子植入。27.如申请专利范围第16项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该基材为一超薄的SOI基材。28.如申请专利范围第16项所述之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该除该氧化矽间隙壁的步骤系使用稀释的氢氟酸。图式简单说明:第1A图至第1G图为绘示本发明之使用可弃式间隙壁之金氧半场效电晶体的制造方法之剖面流程示意图。 |
