| 主权项 |
1.一种半导体积体电路装置的制造方法,其特征包含:(a)、在半导体积体电路装置制造部制造半导体积体电路装置的制程;(b)、在光罩制造部制造在该半导体积体电路装置的制程使用的复数片光罩的制程;以及(c)、透过通讯线路进行该半导体积体电路装置的制造与该复数片光罩的制造的调整的制程,其中该调整制程具有管理该光罩的制造进度的手段与平准化该光罩的生产的制程。2.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中管理该光罩的制造进度的制程具有光罩的制造计划资讯的作成制程、光罩的制造计划资讯的相互公开制程以及光罩的制造进度异常的监视制程的至少一个,平准化该光罩的生产的制程具有光罩的制造计划资讯的相互公开制程以及光罩的优先开工的控制制程的至少一个。3.一种半导体积体电路装置的制造方法,其特征包含以下的制程:(a)、半导体积体电路装置制造部透过通讯线路,对光罩制造部委托在半导体积体电路装置的制造所使用的光罩的开工的制程;(b)、该半导体积体电路装置制造部透过通讯线路,对光罩制造部提供由在半导体积体电路装置的制造所使用的光罩的开工到交货的制造计划资讯的制程;(c)、该光罩制造部依照该光罩的开工委托以及制造计划资讯制造光罩的制程;(d)、将在该光罩制造部制造的光罩缴纳到该半导体积体电路装置制造部的制程;以及(e)、该半导体积体电路装置制造部藉由使用该缴纳的光罩的曝光处理,将所希望的图案转移到晶圆的制程。4.如申请专利范围第3项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该光罩的制造计划资讯也具有对该光罩制造部预定委托将来制造的光罩的制造计划资讯。5.如申请专利范围第3项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中具有根据该光罩的制造计划资讯优先地制造复数个光罩之中的预定的光罩的制程。6.如申请专利范围第3项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该光罩的制造计划资讯是以光罩的规格别资讯以及缴纳据点资讯为基础而作成。7.如申请专利范围第3项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中在该半导体积体电路装置的制程中具有使用相移式光罩的制程。8.一种半导体积体电路装置的制造方法,其特征包含以下的制程:(a)、半导体积体电路装置制造部透过通讯线路,对光罩制造部委托在半导体积体电路装置的制造所使用的光罩的开工的制程;(b)、该半导体积体电路装置制造部透过通讯线路,对光罩制造部提供由在半导体积体电路装置的制造所使用的光罩的开工到交货的制造计划资讯的制程;(c)、该光罩制造部依照该光罩的开工委托以及制造计划资讯制造光罩的制程;(d)、该光罩制造部透过该通讯线路,对该半导体积体电路装置制造部周期地提供该光罩的制造进度资讯的制程;(e)、该半导体积体电路装置制造部根据该光罩的制造进度资讯监视光罩的制造进度的制程;(f)、将在该光罩制造部制造的光罩缴纳到该半导体积体电路装置制造部的制程;以及(g)、该半导体积体电路装置制造部藉由使用该光罩的曝光处理,将所希望的图案转移到晶圆。9.如申请专利范围第8项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该光罩的制造计划资讯也具有对该光罩制造部预定委托将来制造的光罩的制造计划资讯。10.如申请专利范围第8项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中具有根据该光罩的制造计划资讯优先地制造复数个光罩之中的预定的光罩的制程。11.如申请专利范围第8项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该光罩的制造计划资讯是以光罩的规格别资讯以及缴纳据点资讯为基础而作成。12.如申请专利范围第8项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中在该半导体积体电路装置的制程中具有使用相移式光罩的制程。13.一种半导体积体电路装置的制造方法,其特征包含以下的制程:(a)、半导体积体电路装置制造部透过通讯线路,对光罩制造部委托在半导体积体电路装置的制造所使用的光罩的开工的制程;(b)、该半导体积体电路装置制造部透过通讯线路,对光罩制造部提供由在半导体积体电路装置的制造所使用的光罩的开工到交货的制造计划资讯的制程;(c)、该光罩制造部依照该光罩的开工委托以及制造计划资讯制造光罩的制程;(d)、该光罩制造部透过该通讯线路,对该半导体积体电路装置制造部周期地提供该光罩的制造进度资讯的制程;(e)、该半导体积体电路装置制造部根据该光罩的制造进度资讯调整该半导体积体电路装置的制造与光罩的制造的制程;(f)、将在该光罩制造部制造的光罩缴纳到该半导体积体电路装置制造部的制程;以及(g)、该半导体积体电路装置制造部藉由使用该光罩的曝光处理,将所希望的图案转移到晶圆。14.如申请专利范围第13项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该(e)制程具有根据该光罩的制造进度资讯,再作成该光罩的制造计划资讯,透过该通讯线路提供给该光罩制造部的制程,该光罩制造部依照该再作成的光罩的制造计划资讯制造光罩的制程。15.如申请专利范围第13项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该光罩的制造计划资讯也具有对该光罩制造部预定委托将来制造的光罩的制造计划资讯。16.如申请专利范围第13项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中具有根据该光罩的制造计划资讯优先地制造复数个光罩之中的预定的光罩的制程。17.如申请专利范围第13项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该光罩的制造计划资讯是以光罩的规格别资讯以及缴纳据点资讯为基础而作成。18.如申请专利范围第13项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中在该半导体积体电路装置的制程中具有使用相移式光罩的制程。19.一种半导体积体电路装置的制造方法,制造光罩的光罩制造线与使用该光罩藉由曝光装置转移积体电路图案到晶圆的半导体制造线是分离,其特征包含:在该半导体制造线侧将半导体积体电路装置的制造所需的光罩的制造计划资讯给予光罩制造线,在该光罩制造线侧接受该光罩的制造计划资讯,决定光罩的开工顺序的制程。20.如申请专利范围第19项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中在该半导体制造线侧将半导体制造所需的光罩的制造计划资讯,不仅布置的光罩,对于由此以后布置的布置预定的光罩也对光罩制造线给予。21.如申请专利范围第19项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该光罩的制造计划资讯具有使用布置的光罩的半导体积体电路装置的半导体制造线中的半导体积体电路装置的开工计划资讯。22.如申请专利范围第19项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该光罩的制造计划资讯具有使用布置的光罩的半导体积体电路装置的半导体制造线中的半导体积体电路装置的开工计划资讯以及每一制程的制造进度资讯。23.如申请专利范围第19项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中在该光罩制造线侧将每一光罩制程的制造进度资讯给予半导体制造线,在该半导体制造线侧接受该制造进度资讯,监视光罩的进度异常。24.如申请专利范围第23项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该光罩的进度异常的监视是以预先被指定的监视条件原版、光罩开工程序以及光罩开工实绩为基础进行异常监视,检测光罩开工异常以及规定缴纳时间异常的两个异常。25.如申请专利范围第19项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中在该光罩制造线侧将每一光罩制程的制造进度资讯给予半导体制造线,在该半导体制造线侧接受该制造进度资讯,监视光罩的进度异常,且进行该半导体积体电路装置与该光罩的生产调整。26.如申请专利范围第25项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该光罩的进度异常的监视是以预先被指定的监视条件原版、光罩开工程序以及光罩开工实绩为基础进行异常监视,检测光罩开工异常以及规定缴纳时间异常的两个异常。27.如申请专利范围第19项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该光罩的制造计划资讯是以半导体积体电路装置的开工计划资讯、光罩规格别资讯以及缴纳据点别资讯为基础而作成。28.如申请专利范围第19项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该光罩的制造计划资讯是以半导体积体电路装置的开工计划资讯、光罩规格别资讯以及缴纳据点别资讯为基础而作成,并且伴随着该半导体积体电路装置的制造进行,即时地取得开工实绩,以此实绩为基础周期地再作成。29.如申请专利范围第19项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中以该光罩的制造计划资讯为基础的光罩的开工顺序的决定方法是在光罩制造线侧以布置的全光罩为对象,以光罩的制造计划资讯顺序内的开工预定以及规定缴纳时间预定为基础,表示优先开工。30.一种光罩的制造方法,其特征包含以下的制程:(a)、光罩制造部透过通讯线路,由半导体积体电路装置制造部接受在半导体积体电路装置的制造所使用的光罩的开工的制程;(b)、该光罩制造部透过通讯线路,由半导体积体电路装置制造部接受由在半导体积体电路装置的制造所使用的光罩的开工到交货的制造计划资讯的制程;(c)、该光罩制造部依照该光罩的开工委托以及制造计划资讯制造光罩的制程;以及(d)、将在该光罩制造部制造的光罩缴纳到该半导体积体电路装置制造部的制程。31.如申请专利范围第30项所述之光罩的制造方法,其中该光罩的制造计划资讯也具有对该光罩制造部预定委托将来制造的光罩的制造计划资讯。32.如申请专利范围第30项所述之光罩的制造方法,其中具有根据该光罩的制造计划资讯优先地制造复数个光罩之中的预定的光罩的制程。33.如申请专利范围第30项所述之光罩的制造方法,其中该光罩的制程具有相移式光罩的制程。34.一种光罩的制造方法,其特征包含以下的制程:(a)、光罩制造部透过通讯线路,由半导体积体电路装置制造部接受在半导体积体电路装置的制造所使用的光罩的开工的制程;(b)、该光罩制造部透过通讯线路,由半导体积体电路装置制造部接受由在半导体积体电路装置的制造所使用的光罩的开工到交货的制造计划资讯的制程;(c)、该光罩制造部依照该光罩的开工委托以及制造计划资讯制造光罩的制程;(d)、该光罩制造部透过该通讯线路,对该半导体积体电路装置制造部周期地提供该光罩的制造进度资讯的制程;(e)、该半导体积体电路装置制造部根据该光罩的制造进度资讯调整该半导体积体电路装置的制造与光罩的制造的制程;以及(f)、将在该光罩制造部制造的光罩缴纳到该半导体积体电路装置制造部的制程。35.如申请专利范围第34项所述之光罩的制造方法,其中该(e)制程具有该光罩制造部透过该通讯线路接受根据该光罩的制造进度资讯再作成的光罩的制造计划资讯的制程,该光罩制造部依照该再作成的光罩的制造计划资讯制造光罩的制程。36.如申请专利范围第34项所述之光罩的制造方法,其中该光罩的制造计划资讯也具有对该光罩制造部预定委托将来制造的光罩的制造计划资讯。37.如申请专利范围第34项所述之光罩的制造方法,其中具有根据该光罩的制造计划资讯优先地制造复数个光罩之中的预定的光罩的制程。38.如申请专利范围第34项所述之半导体积体电路装置的制造方法,其中该光罩的制程具有相移式光罩的制程。39.一种光罩的制造方法,其特征包含:制造光罩的光罩制造线与使用该光罩藉由曝光装置转移积体电路图案到晶圆的半导体制造线是分离,在该半导体制造线侧将半导体积体电路装置的制造所需的光罩的制造计划资讯给予光罩制造线,在该光罩制造线侧接受该光罩的制造计划资讯,决定光罩的开工顺序的制程。图式简单说明:图1是显示本发明者们检讨的光罩进度管理方式以及光罩生产方式的课题的说明图。图2是本发明者们检讨的光罩布置以及规定缴纳时间管理的课题的说明图。图3是本发明的一实施形态的半导体积体电路装置的制造方法中的光罩布置方法以及规定缴纳时间管理方式的说明图。图4是依照图1的方法的功效的说明图。图5是图3时半导体积体电路装置的制造方法中的光罩布置方法以及光罩规定缴纳时间管理方式的更详细的说明图。图6是图3的半导体积体电路装置的制造方法中的光罩布置方法以及光罩规定缴纳时间管理方式的基本构成的说明图。图7是图6的光罩开工程序机的系统构成的说明图。图8是光罩开工程序机的原版表的一例的说明图。图9是光罩开工程序机的演算法的一例的说明图。图10是光罩开工程序机的程序的基本例的说明图。图11是用以比较本发明者们检讨的光罩开工程序(左侧)以及光罩资讯公开范围(右侧)所显示的说明图。图12是本发明的一实施形态时半导体积体电路装置的制造方法的光罩开工程序(左侧)以及光罩资讯公开范围(右侧)的说明图。图13是本发明的一实施形态的半导体积体电路装置的制造方法的制品开工实绩连动光罩开工再程序公开以及光罩开工实绩公开的说明图。图14是本发明的一实施形态的半导体积体电路装置的制造方法的光罩优先开工控制的说明图。图15是本发明的一实施形态的半导体积体电路装置的制造方法的光罩进度异常监视方法中的异常监视画面影像的说明图。图16是本发明的一实施形态的半导体积体电路装置的制造方法的光罩进度异常监视系统的构成的说明图。图17是显示图16的光罩进度异常监视系统所使用的监视条件原版的一例的说明图。图18是显示图16的光罩进度异常监视系统所使用的异常监视演算法的一例的说明图。图19是显示图16的光罩进度异常监视系统所使用的异常监视演算法的一例的说明图。图20是本发明的一实施形态的半导体积体电路装置的制造方法中的光罩布置以及光罩规定缴纳时间管理工件的流程图。图21是本发明的一实施形态的半导体积体电路装置的制造方法中的光罩开工程序的具体例的说明图。图22是本发明的一实施形态的半导体积体电路装置的制造方法所使用的光罩的制程中的主要部位剖面图。图23是接着图22的光罩的制程中的主要部位剖面图。图24是接着图23的光罩的制程中的主要部位剖面图。图25是接着图24的光罩的制程中的主要部位剖面图。图26是接着图25的光罩的制程中的主要部位剖面图。图27是本发明的一实施形态的半导体积体电路装置的制造方法所使用的其他光罩的制程中的主要部位剖面图。图28是接着图27的光罩的制程中的主要部位剖面图。图29是接着图28的光罩的制程中的主要部位剖面图。图30是接着图29的光罩的制程中的主要部位剖面图。图31是接着图30的光罩的制程中的主要部位剖面图。图32是接着图31的光罩的制程中的主要部位剖面图。图33是接着图32的光罩的制程中的主要部位剖面图。图34是接着图33的光罩的制程中的主要部位剖面图。图35是接着图34的光罩的制程中的主要部位剖面图。 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