| 主权项 |
1.一种评估方法,适用于评估曝光能量的变动量,包 含下列步骤: (a)对一晶圆上形成的一光阻进行曝光与显影,以将 上述光阻形成一测试光阻图案,该光阻图案包含至 少一对延一方向延伸的线型光阻,其长边方向的端 部在同一直线之相反方向,并测量上述线型光阻间 的距离,重复上列步骤复数次;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对曝光能量的随时间的 变动量进行评估。 2.一种评估方法,适用于评估焦距偏移量的变动量, 包含下列步骤: (a)对一晶圆上形成的一光阻进行曝光与显影,以将 上述光阻形成一测试光阻图案,该光阻图案包含至 少一对延一方向延伸的线型光阻,其长边方向的端 部在同一直线之相反方向,并测量上述线型光阻间 的距离,重复上列步骤复数次;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对焦距偏移量随时间的 变动量进行评估。 3.一种评估方法,适用于评估光阻感度的安定度,包 含下列步骤: (a)对一晶圆上形成的一光阻进行曝光与显影,以将 上述光阻形成一测试光阻图案,该光阻图案包含至 少一对延一方向延伸的线型光阻,其长边方向约端 部在同一直线之相反方向,并测量上述线型光阻间 的距离,重复上列步骤复数次;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对上述光阻感度的安定 度进行评估。 4.一种评估方法,适用于评估光阻涂布均一性,包含 下列步骤: (a)对一晶圆上形成的一光阻进行曝光与显影,以将 上述光阻形成复数个测试光阻图案,上述光阻图案 包含至少一对延一方向延伸的线型光阻,其长边方 向的端部在同一直线之相反方向,并测量上述线型 光阻间的距离;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对光阻涂布均一性进行 评估。 5.一种评估方法,适用于评估光阻显影的均一性,包 含下列步骤: (a)对一晶圆上形成的一光阻进行曝光与显影,以将 上述光阻形成复数个测试光阻图案,上述光阻图案 包含至少一对延一方向延伸的线型光阻,其长边方 向的端部在同一直线之相反方向,并测量上述线型 光阻间的距离;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对上述光阻显影的均一 性进行评估。 6.一种评估方法,适用于评估曝光装置的性能,包含 下列步骤: (a)对一晶圆上形成的一光阻进行曝光与显影,以将 上述光阻形成复数个测试光阻图案,上述光阻图案 包含至少一对延一方向延伸的线型光阻,其长边方 向的端部在同一直线之相反方向,并测量上述线型 光阻间的距离;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对上述光阻曝光时所使 用曝光装置的性能进行评估。 7.一种评估方法,适用于评估待测物上之平坦性,包 含下列步骤: (a)对一晶圆上一待测物上形成的一光阻进行曝光 与显影,以将上述光阻形成复数个测试光阻图案, 上述光阻图案包含至少一对延一方向延伸的线型 光阻,其长边方向的端部在同一直线之相反方向, 并测量上述线型光阻间的距离;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对上述待测物上之平坦 性进行评估。 8.一种评估方法,适用于评估曝光能量的变动量,包 含下列步骤: (a)对一晶圆上形成的一光阻进行曝光与显影,以将 上述光阻形成一测试光阻图案,该光阻图案包含至 少一对延一方向延伸的空格图案光阻,其长边方向 的端部在同一直线之相反方向,并测量上述空格图 案光阻间的距离,重复上列步骤复数次;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对曝光能量的随时间的 变动量进行评估。 9.一种评估方法,适用于评估焦距偏移量的变动量, 包含下列步骤: (a)对一晶圆上形成的一光阻进行曝光与显影,以将 上述光阻形成一测试光阻图案,该光阻图案包含至 少一对延一方向延伸的空格图案光阻,其长边方向 的端部在同一直线之相反方向,并测量上述空格图 案光阻间的距离,重复上列步骤复数次;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对焦距偏移量随时间的 变动量进行评估。 10.一种评估方法,适用于评估光阻感度的安定度, 包含下列步骤: (a)对一晶圆上形成的一光阻进行曝光与显影,以将 上述光阻形成一测试光阻图案,该光阻图案包含至 少一对延一方向延伸的空格图案光阻,其长边方向 的端部在同一直线之相反方向,并测量上述空格图 案光阻间的距离,重复上列步骤复数次;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对上述光阻感度的安定 度进行评估。 11.一种评估方法,适用于评估光阻涂布均一性,包 含下列步骤: (a)对一晶圆上形成的一光阻进行曝光与显影,以将 上述光阻形成复数个测试光阻图案,上述光阻图案 包含至少一对延一方向延伸的空格图案光阻,其长 边方向的端部在同一直线之相反方向,并测量上述 空格图案光阻间的距离;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对光阻涂布均一性进行 评估。 12.一种评估方法,适用于评估光阻显影的均一性, 包含下列步骤: (a)对一晶圆上形成的一光阻进行曝光与显影,以将 上述光阻形成复数个测试光阻图案,上述光阻图案 包含至少一对延一方向延伸的空格图案光阻,其长 边方向的端部在同一直线之相反方向,并测量上述 空格图案光阻间的距离;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对上述光阻显影的均一 性进行评估。 13.一种评估方法,适用于评估曝光装置的性能,包 含下列步骤: (a)对一晶圆上形成的一光阻进行曝光与显影,以将 上述光阻形成复数个测试光阻图案,上述光阻图案 包含至少一对延一方向延伸的空格图案光阻,其长 边方向的端部在同一直线之相反方向,并测量上述 空格图案光阻间的距离;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对上述光阻曝光时所使 用曝光装置的性能进行评估。 14.一种评估方法,适用于评估待测物上之平坦性, 包含下列步骤: (a)对一晶圆上一待测物上形成的一光阻进行曝光 与显影,以将上述光阻形成复数个测试光阻图案, 上述光阻图案包含至少一对延一方向延伸的空格 图案光阻,其长边方向的端部在同一直线之相反方 向,并测量上述空格图案光阻间的距离;以及 (b)以步骤(a)所得测定结果对上述待测物上之平坦 性进行评估。 图式简单说明: 第1图系显示本发明实施例1中评估方法使用之测 试图形。 第2图系显示本发明实施例1中评估方法使用之测 试图形。 第3图系显示本发明实施例1中评估方法之流程图 。 第4a图至第4c图系显示本发明实施例1中评估方法 使用测试图形之制程剖面图。 第5a图至第5b图系显示本发明实施例1中测试图形 间距的变动。 第6图系显示本发明实施例1中评估方法使用光罩 之平面图。 第7图系显示本发明实施例1中评估方法之曝光地 图(exposure map)。 第8图系显示光罩与晶圆未保持平行的剖面示意图 。 第9图系显示本发明实施例1中评估方法使用光罩 之平面图。 第10图系显示本发明实施例1中评估方法使用之测 试图形。 第11a图至第11b图系显示本发明实施例1中计估方法 使用之测试图形。 第12图系显示本发明实施例2中评估方法使用之测 试图形。 第13图系显示本发明实施例2中评估方法使用之测 试图形。 第14图系显示本发明实施例2中评估方法使用之测 试图形。 第15图系显示本发明实施例12中评估方法使用之测 试图形。 第16图系显示本发明实施例2中评估方法之流程图 。 第17图系显示本发明实施例2之测试图形对向部解 析度的变化。 第18图系显示本发明实施例2中评估方法之流程图 。 第19a图至第19d图系显示本发明实施例2中评估方法 使用测试图形之制程剖面图。 第20图系显示本发明实施例2中评估方法使用之测 试图形。 第21图系显示本发明实施例2中评估方法使用之测 试图形。 第22图系显示本发明实施例2中评估方法使用之测 试图形。 第23图系显示本发明实施例2中评估方法使用之测 试图形。 第24图系显示本发明实施例2中导电膜线宽与电阻 的关系。 第25图系显示本发明实施例2中具有未解像对向部 之图形数目与图形间电阻的关系。 第26图系显示本发明实施例3中制程条件修正方法 的流程图。 第27图系显示本发明实施例3中制程条件修正方法 的流程图。 第28图系显示本发明实施例4中半导体制造方法的 流程图。 第29图系显示本发明实施例4中半导体制造方法的 流程图。 第30图系以图示显示线型光阻线宽的变动。 第31图系以图示显示习知评估方法使用之线型图 案与空格图案。 |
