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<P>L'invention concerne un circuit bascule à hystérésis en technologie semi-conducteur sur isolant, caractérisé en ce qu'il comprend au moins deux étages inverseurs CMOS, chaque étage inverseur étant constitué d'une première branche comprenant au moins un transistor à effet de champ à jonction canal P (PFET) en série entre un premier potentiel d'alimentation VDD et un noeud de sortie de l'étage inverseur et d'une seconde branche comprenant au moins un transistor à effet de champ à jonction canal N (NFET) en série entre ledit noeud de sortie de l'étage inverseur et un second potentiel d'alimentation, lesdits transistors de chacun des étages inverseurs ayant leurs grilles connectées ensemble pour recevoir un signal d'entrée, l'entrée de chacun des inverseurs recevant directement ou indirectement le signal d'entrée dudit circuit, le signal de sortie du circuit étant obtenu directement ou indirectement par le signal de sortie de l'un des étages inverseurs, et en ce que le potentiel de substrat de chacun des transistors d'au moins un étage inverseur est piloté dynamiquement par un signal de commande issu dudit circuit.</P>
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