发明名称 |
光刻标记结构、光刻投射装置和进行基片对准的方法 |
摘要 |
在基底上用于所述基底光学对准的标记结构,所述标记结构包括多个第一结构元件和多个第二结构元件,在使用所述标记结构中,用于提供所述的光学对准,根据设置直接照射在所述标记结构上的至少一个光束,用传感器检测从所述标记结构上接收到的光线,由所述被检测的光确定对准信息,所述对准信息包括与所述基底到所述传感器的位置相关的信息。 |
申请公布号 |
CN1534387A |
申请公布日期 |
2004.10.06 |
申请号 |
CN03164840.1 |
申请日期 |
2003.09.19 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
R·J·F·范哈伦;P·C·欣南;S·拉巴哈多尔辛;E·C·莫斯;H·梅亘斯;M·范德沙尔;J·休布雷格塞 |
分类号 |
G03F9/00;G03F7/20;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F9/00 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
章社杲 |
主权项 |
1.在基底上用于所述基底光学对准的标记结构,所述标记结构包括多个第一结构元件和多个第二结构元件,在使用所述标记结构中,用于提供所述的光学对准,根据-设置直接照射在所述标记结构上的至少一个光束,-用传感器检测来自所述标记结构上的光线,-由所述被检测的光确定对准信息,所述对准信息包括与所述基底到所述传感器的位置相关的信息;所述标记结构的更多的特征在于所述第一结构元件有第一高度(level)的第一反射面,所述第二结构元件是完全非反射的,第二反射面位于第二较低高度上,在所述第一和第二反射面间的隔离度用于确定所述被检测的光线的位相深度状态,其中,在所述第二反射面上给出一凹槽(R1;R2;R3)以便调整所述位相状态。 |
地址 |
荷兰维尔德霍芬 |