| 发明名称 | 化学机械抛光方法以及与其相关的洗涤/冲洗方法 | ||
| 摘要 | 在抛光形成在半导体晶片(SW)上的低k材料绝缘层的化学机械抛光方法中，制备由水、研磨剂、使半导体晶片的低k材料绝缘层变为亲水性的第一添加剂以及增加水性研磨浆的酸性的第二添加剂构成的水性研磨浆。输送水性研磨浆到比半导体晶片的直径大的旋转的抛光垫(12)上。将半导体晶片的低k材料绝缘层加到并压在旋转的抛光垫上，同时旋转的半导体晶片(SW)与旋转的抛光垫(12)以相同的旋转方向旋转，从而改善半导体晶片的低k材料绝缘层的抛光速度。 | ||
| 申请公布号 | CN1534736A | 申请公布日期 | 2004.10.06 |
| 申请号 | CN200410003542.0 | 申请日期 | 2004.01.29 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 江尻一昭 |
| 分类号 | H01L21/304;H01L21/306;B24B1/00;B24B37/04 | 主分类号 | H01L21/304 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆弋 |
| 主权项 | 1.一种抛光形成在半导体晶片(SW)上的低k材料绝缘层的化学机械抛光方法，该方法包括：制备由水、研磨剂、使所述半导体晶片的低k材料绝缘层变为亲水性的第一添加剂以及增加所述水性研磨浆的酸性的第二添加剂构成的水性研磨浆；输送所述水性研磨浆到旋转的抛光垫(12)；以及将所述半导体晶片的低k材料绝缘层加到并压在所述旋转的抛光垫上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||