利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法

摘要

本发明涉及湿法刻蚀中的光刻技术，将抛光的样品用溶剂超声清洗；用热的保护性气体将样品吹干去湿，经粘附增强剂处理；用光刻胶溶液旋转涂覆，在一定温度下烘干去除溶剂；前烘之后的样品完全曝光，再用光刻胶溶液旋转涂覆烘干并掩膜光刻，显影之后固化，得到厚的掩膜光刻胶，最后腐蚀。采用本发明提供的用普通UV光深层光刻的分离曝光技术，解决了微细加工技术中的深度腐蚀问题，简化器件的制备工艺，降低成本。适用于微电子集成电路、集成光路等微细结构的制备。

主权项

1、利用普通紫外光深层光刻的分离曝光工艺方法，其特征在于：它主要由涂胶—完全曝光—再涂胶—再掩膜曝光过程组成，(1)将抛光的样品用溶剂超声清洗，然后用热的保护性气体将样品吹干去湿，并且经粘附增强剂处理；(2)然后用光刻胶溶液旋转涂覆样品，再在一定温度下烘干去除溶剂；(3)前烘之后的样品在一定时间内完全曝光；(4)再一次用光刻胶溶液旋转涂覆、烘干并掩膜光刻样品，(5)对样品显影之后固化，得到厚掩膜光刻胶，(6)最后腐蚀样品。