化学机械抛光垫的调节的前馈和反馈控制

摘要

一种调节抛光垫的平整表面的方法，设备和介质包括：在具有抛光垫(1080)和调节盘(1030)的化学机械抛光(CMP)设备(100)中安放待抛光晶片；在第一套垫调节参数下抛光该晶片，选择该套参数是为将晶片材料去除速率保持在预选的最小和最大去除速率范围内；确定发生在抛光步骤期间的晶片材料去除速率；计算更新的垫调节参数以将晶片材料去除速率保持在最大和最小去除速率范围内；以及用该更新的垫调节参数调节该抛光垫(1080)，其中该更新的垫调节参数用垫磨损和调节模型计算，该模型基于诸如该调节盘的调节向下的力和旋转速度等调节参数预测该抛光垫的该晶片材料去除速率。

主权项

1.一种在化学机械抛光CMP设备中调节平整表面的方法，其中该CMP设备具有抛光垫，晶片被放在该抛光垫上以从该晶片上去除材料，以及调节盘被放在该抛光垫上以对该抛光垫进行调节，该方法包括以下步骤：(a)提供一垫磨损和调节模型，该模型将晶片材料去除速率定义为至少一个垫调节参数的函数，所述至少一个调节参数具有最大和最小值；(b)在该CMP设备中，在第一套垫调节参数下抛光晶片，这套参数的选择是为将晶片材料去除速率保持在预选的最小和最大去除速率范围内；(c)确定在所述抛光步骤期间出现的晶片材料去除速率；(d)基于所述步骤(c)的所述确定的晶片材料去除速率以及所述垫磨损和调节模型计算更新的垫调节参数，以将晶片材料去除速率保持在所述最大和最小去除速率范围内；(e)用所述更新的调节参数调节所述抛光垫。