发明名称 固态成像装置及其制造方法
摘要 一种固态成像装置(100),包括多个光敏单元(8)和用于驱动多个光敏单元(8)的驱动单元。每个光敏单元(8)包括:光电二极管(5),形成为暴露在半导体衬底的表面上,用于积累通过对入射光进行光电转换而获得的信号电荷;转移晶体管,用于转移由光电二极管(5)积累的信号电荷;浮动扩散层(1),用于暂时积累由转移晶体管转移的信号电荷;以及放大器晶体管(2),用于放大暂时积累在浮动扩散层(1)中的信号电荷。设置在放大器晶体管(2)中的源/漏扩散层(3)被自对准金属硅化物层(4)覆盖,并且浮动扩散层(1)形成为暴露在半导体衬底的表面上。
申请公布号 CN1534793A 申请公布日期 2004.10.06
申请号 CN200410031962.X 申请日期 2004.03.31
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 内田干也;松长诚之;稻垣诚
分类号 H01L27/146;H04N5/335 主分类号 H01L27/146
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 夏青
主权项 1、一种固态成像装置,包括:多个光敏单元,以矩阵形式设置在半导体衬底上的光敏区中;以及驱动单元,用于驱动所述多个光敏单元,其中每个光敏单元包括:光电二极管,形成为暴露在所述半导体衬底的表面上,用于积累通过对入射光进行光电转换而获得的信号电荷;转移晶体管,形成在所述半导体衬底上,用于转移在所述光电二极管中积累的信号电荷;浮动扩散层,形成在所述半导体衬底上,用于暂时积累由所述转移晶体管转移的信号电荷;以及放大器晶体管,形成在所述半导体衬底上,用于放大暂时积累在所述浮动扩散层中的信号电荷,其特征在于:设置在所述放大器晶体管中的源/漏扩散层被自对准金属硅化物层覆盖,并且所述浮动扩散层形成为暴露在所述半导体衬底的表面上。
地址 日本大阪府