| 发明名称 | 干式蚀刻装置及干式蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及能进行与要形成的图案无关，能够控制尺寸偏移且获得所需腐蚀形状的干式蚀刻装置及方法。在反应室(101)内的下部电极(102)上，配置聚焦环(107)，使其包围被处理基板(150)。聚焦环(107)，由从预先准备的具有不同半径的多个环中选择的环(第1～第3环(107a～107c))组合而成。从而使聚焦环(107)具有与腐蚀对象物的图案开口率对应的表面积。 | ||
| 申请公布号 | CN1534737A | 申请公布日期 | 2004.10.06 |
| 申请号 | CN200410031781.7 | 申请日期 | 2004.03.25 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 山中通成 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种干式蚀刻装置，是具有在反应室内的电极上被配置成包围腐蚀对象物的聚焦环的干式蚀刻装置，其特征在于：所述聚焦环，具有与所述腐蚀对象物的图案开口率对应的表面积。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||