| 发明名称 | 层压材料的二氧化碳激光加工方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及层压材料的二氧化碳激光加工方法，是对具有绝缘层(1)和夹有该绝缘层(1)的层压的第一导体层(4)和第二导体层(5)的层压材料的被加工部照射二氧化碳激光，除去上述被加工部的上述第一导体层和上述绝缘层，形成到达上述第二导体层的盲孔和进行沟槽加工，其特征在于，以能量密度为25J/cm<SUP>2</SUP>以上、且射束照射时间在1μs以上10μs以下范围的上述激光对上述被加工部进行脉冲性的照射。 | ||
| 申请公布号 | CN1535195A | 申请公布日期 | 2004.10.06 |
| 申请号 | CN02805494.6 | 申请日期 | 2002.03.20 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 伊藤健治 |
| 分类号 | B23K26/40;H05K3/00;//B23K101:42 | 主分类号 | B23K26/40 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 胡烨 |
| 主权项 | 1.层压材料的二氧化碳激光加工方法，它是对具有绝缘层和夹有该绝缘层的层压的第一导体层和第二导体层的层压材料的被加工部照射二氧化碳激光，除去上述被加工部的上述第一导体层和上述绝缘层，形成到达上述第二导体层的盲孔和进行槽加工的层压材料的二氧化碳激光加工方法，其特征在于，以能量密度为25J/cm2以上、且射束照射时间在1μs以上10μs以下的上述激光对上述被加工部进行脉冲照射。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||