发明名称 | 涂层衬底的生产方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种方法,用于生产以材料处理的衬底,依此法:a)至少一个衬底被送入到一个抽空的真空接受器(真空室)中;b)待处理的衬底表面被曝露在一种反应气体下,反应气体被吸附在衬底表面上;c)结束衬底表面在反应气体下的曝露;d)被吸附在衬底表面上的反应气体起反应,其特征在于:d1)带有被吸附的反应气体的衬底表面被置于一个低能量的等离子体放电下,以其在衬底表面上的离子能量E<SUB>IO</SUB>为OeV<E<SUB>IO</SUB>≤20eV,以其电子能量E<SUB>eo</SUB>为OeV<E<SUB>eo</SUB>≤100eV;d<SUB>2</SUB>)被吸附的反应气体至少在由等离子体产生的离子和电子的共同作用下起反应。 | ||
申请公布号 | CN1535330A | 申请公布日期 | 2004.10.06 |
申请号 | CN02814772.3 | 申请日期 | 2002.05.15 |
申请人 | 尤纳克西斯巴尔策斯公司 | 发明人 | J·拉姆 |
分类号 | C23C16/455 | 主分类号 | C23C16/455 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 苏娟;赵辛 |
主权项 | 1.材料涂覆的衬底的生产方法,其中:a)至少一个衬底被送入到一个抽空的真空接受器(真空室)中;b)衬底的待处理的表面被曝露在一种反应气体中,该反应气体被吸附在衬底表面上;c)结束衬底表面在反应气体中的曝露;d)被吸附在衬底表面上的反应气体起反应,其特征在于:d1)带有被吸附的气体的衬底表面被暴露在一种低能量的等离子体放电下,其在衬底表面上的离子能量EI0为0eV<EI0≤20eV电子能量Ee0为0eV<Ee0≤100eV,d2)被吸附的反应气体至少在由等离子体产生的离子和电子的协同作用下起反应。 | ||
地址 | 列支敦士登菲尔斯滕图姆 |