高耦合效率的超辐射发光二极管

摘要

本实用新型为一种高耦合效率的超辐射发光二极管，它由半导体衬底100上依次外延生长多层半导体材料，顺次包括缓冲层101、隔离层102、台面波导层103、有源层104、上波导层105、电极接触层106和电流注入条区，衬底下表面有金属电极109，在电流注入条区上面有上电极108，该发光二极管集成了锥形波导结构，连续地改变波导的有效折射率，使之产生锥形的分布，从而扩展模场、实现模场圆化，同时发光管的前后出光端面镀增透膜来抑制器件激射。此结构的超辐射发光二极管大大提高了与光纤耦合效率。适合于制作大功率的超辐射发光二极管。

主权项

1、一种超辐射发光二极管，它由半导体衬底(100)上依次外延生长多层半导体材料，顺次包括缓冲层(101)、隔离层(102)、台面波导层(103)、有源层(104)、上波导层(105)、电极接触层(106)和电流注入区，衬底下表面有金属电极(109)，在电流注入区上面有上电极(108)，其特征在于在上波导层(105)中集成了锥形波导结构，该锥形波导由条形区(110)和锥形区(111)构成，其中锥形区的锥尖宽度为0.2～1μm。