| 发明名称 | 光刻投射装置组件表面的清洗方法、光刻投射装置、器件制造方法和清洗系统 | ||
| 摘要 | 清洗系统，光刻投射装置的组件表面的清洗方法，光刻投射装置，器件制造方法。一种用于从光刻投射装置(1)的组件(101)的表面(104)的至少一部分上除去污染(105)的清洗系统(100)，包括：一个清洗粒子供给装置，用于在所述表面提供清洗粒子，该清洗粒子供给装置包括一个用于产生电场(107)的电场发生器(106，V)。此外，一种从光刻投射装置(1)的组件(101)的表面(104)的至少一部分上除去污染(105)的方法。该方法包括在该光刻投射装置的至少一部分产生电场；通过所述的电场(107)在该污染附近提供清洗粒子；并且通过所述的清洗粒子和所述的污染的相互作用除去所述的污染。因此，污染(105)从该表面(104)除去。 | ||
| 申请公布号 | CN1534381A | 申请公布日期 | 2004.10.06 |
| 申请号 | CN200310125191.6 | 申请日期 | 2003.12.20 |
| 申请人 | ASML荷兰有限公司;卡尔蔡司SMT股份公司 | 发明人 | L·P·巴克;R·库尔特;B·M·梅坦斯;M·维斯;J·特伦克勒;W·辛格 |
| 分类号 | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 | 主分类号 | G03F7/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 章社杲 |
| 主权项 | 1.一种从光刻投射装置的组件表面的至少一部分上除去污染的清洗系统，包括：用于在所述表面附近提供清洗粒子的清洗粒子供给装置，清洗粒子供给装置包括用于产生电场的电场发生器。 | ||
| 地址 | 荷兰维尔德霍芬 | ||