一种利用重复曝光形成双镶嵌结构的方法

摘要

本发明提供一种利用重复曝光形成双镶嵌结构的方法。该方法于一半导体基底上形成一光阻层，其中该感光材料层对于一第一波长光线具有一第一吸收度，而对于一第二波长光线具有一第二吸收度，且该第一吸收度不等于该第二吸收度；接着利用该第一波长光线对该感光材料层进行一第一曝光，以于该感光材料层中形成一第一潜在图案；再利用该第二波长光线对该感光材料层进行一第二曝光，以于该感光材料层中形成一第二潜在图案；最后同时去除该感光材料层中的该第一潜在图案以及该第二潜在图案，以于该感光材料层中形成一双镶嵌结构。

主权项

1.一种利用重复曝光形成双镶嵌结构的方法，该方法包含有下列步骤：提供一半导体基底；于该半导体基底上形成一感光材料层，其中该感光材料层对于一第一波长光线具有一第一吸收度，而对于一第二波长光线具有一第二吸收度，且该第一吸收度不等于该第二吸收度；利用该第一波长光线对该感光材料层进行一第一曝光，以于该感光材料层中形成一第一潜在图案；利用该第二波长光线对该感光材料层进行一第二曝光，以于该感光材料层中形成一第二潜在图案；以及同时去除该感光材料层中的该第一潜在图案以及该第二潜在图案，以于该感光材料层中形成一双镶嵌结构。