| 发明名称 | 半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件，在GaAs系半导体元件中，通过使用In<SUB>p</SUB>Ga<SUB>1－p</SUB>N(0＜p≤1）来形成能隙差较大的异质结，具有高性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1534794A | 申请公布日期 | 2004.10.06 |
| 申请号 | CN200410031325.2 | 申请日期 | 2001.09.13 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 藤本英俊 |
| 分类号 | H01L29/737;H01L29/772;H01L29/02;H01L33/00;H01S5/00 | 主分类号 | H01L29/737 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，其特征在于包括：由IntGa1-tN(0＜t≤1)构成的第一半导体层；与上述第一半导体层形成异质结，包含电子亲和力小于上述第一半导体的GaAs、InGaAs、AlGaAs、InAlGaP、InGaAsP、GaSb、GaAsSb、GaNAs、InGaNAs、SiGe、HgCdTe中的任意一种材料的第二半导体层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||