| 发明名称 | 半导体激光器腔面钝化的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体激光器腔面钝化处理方法，其特征在于，包括如下步骤：在N型衬底上依次外延生长半导体激光器结构；外延片欧姆接触层面涂正型光刻胶；应用光刻版沿垂直于激光器谐振腔的方向进行标准光刻；腐蚀；氦离子注入；去掉光刻胶；进行常规的半导体激光器制造，直至完成P面电极和N面电极工艺；沿50um宽的氦离子注入区域中间将外延片解理成条，腔长为900um；前后腔面分别镀低反射率膜和高反射率膜；将条解理成管芯；管芯烧结到热沉，压焊电极引线，封装，完成半导体激光器制作的整个工艺过程。 | ||
| 申请公布号 | CN1534839A | 申请公布日期 | 2004.10.06 |
| 申请号 | CN03108444.3 | 申请日期 | 2003.03.31 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘斌;刘媛媛;张敬明;马骁宇 |
| 分类号 | H01S5/00 | 主分类号 | H01S5/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种半导体激光器腔面钝化处理方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在N型衬底上依次外延生长半导体激光器结构：包括下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、欧姆接触层；(2)外延片欧姆接触层面涂正型光刻胶；(3)应用光刻版沿垂直于激光器谐振腔的方向进行标准光刻；(4)腐蚀；(5)氦离子注入；(6)去掉光刻胶；(7)进行常规的半导体激光器制造，直至完成P面电极和N面电极工艺；(8)沿50um宽的氦离子注入区域中间将外延片解理成条，腔长为900um；(9)前后腔面分别镀低反射率膜和高反射率膜；(10)将条解理成管芯；(11)管芯烧结到热沉，压焊电极引线，封装，完成半导体激光器制作的整个工艺过程。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||