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发明名称 MOS field-effect transistor comprising Si and SiGe layers or Si and SiGeC layers as channel regions
摘要
申请公布号 EP1231643(A3) 申请公布日期 2004.10.06
申请号 EP20020002549 申请日期 2002.02.04
申请人 PRESIDENT OF TOHOKU UNIVERSITY 发明人 MUROTA, JUNICHI;SAKURABA, MASAO;MATSUURA, TAKASHI;TSUCHIYA, TOSHIAKI
分类号 H01L29/78;H01L21/205;H01L21/225;H01L21/336;H01L21/337;H01L29/10;H01L29/772;H01L29/786;H01L29/80;(IPC1-7):H01L29/10;H01L29/778;H01L29/165;H01L21/335 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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