磁场控制的填隙的方法

摘要

本发明涉及一种对MR成像系统(10)的磁体组件(52)填隙(88)的方法，以便可以使用其中的最小不均匀性来建立期望的B0场(74)强。利用这个方法，可以获得磁体组件(52)的足够的填隙，而不需要在已装配好磁体组件(52)后对磁体组件(52)进行机械变动。本发明分析来自期望的B0场(74)的变动和沿着磁体组件或B0场(74)的多个目标点的不均匀性。然后在每个点进行比较以确定填隙或加权系数，以便获得期望的整体B0场(74)强和目标场均匀性。然后，有源和/或无源的填隙元件可以在每个目标点并入磁体组件(52)，以便实现期望的整体场强和最小的整体场均匀性。

主权项

1.一种对MR成像系统(10)的磁体进行填隙的方法，所述方法包括步骤：确定具有多个目标点的B0场(74)的期望的B0场强；确定B0场(74)的最小可接受场不均匀性；确定在每个目标点(86)的来自期望的B0场强的场强改变和来自最小可接受(76，78)场不均匀性的不均匀改变中的至少一个；对多个目标点的至少一部分进行填隙(88)，以便实际B0场强至少接近期望的B0场强，并且实际的场不均匀性不超过最小可接受场不均匀性。