| 发明名称 | 单晶硅膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造单晶薄膜的结晶方法。该方法用激光照射(irradiation)并在有被激光照射的半导体薄膜的基板上由非晶或多晶薄膜在希望的位置以希望的尺寸进行。本发明的单晶硅膜制造方法包括：在透明或半透明基板上形成半导体层或金属薄膜的阶段；作为通过激光照射的结晶方法在规定尺寸的基板上形成单晶籽晶区域的阶段；把所述单晶区域作为籽晶(seed)在希望的区域进行单结晶的阶段。 | ||
| 申请公布号 | CN1534725A | 申请公布日期 | 2004.10.06 |
| 申请号 | CN200410001382.6 | 申请日期 | 2004.01.07 |
| 申请人 | 京东方显示器科技公司 | 发明人 | 柳明官;李镐年;朴宰撤;金亿洙 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1、一种单晶硅膜的制造方法，其特征在于，包括：在透明或半透明基板上形成半导体层或金属薄膜的阶段；用通过激光照射的结晶方法在规定尺寸的基板上形成单晶籽晶区域的阶段；以及把所述单晶区域作为籽晶(seed)而在希望的区域进行单结晶的阶段。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||