| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，能实现容易控制氮化硅膜衬板构造的元件隔离槽的形成方法，并使元件微细化的同时，降低在元件隔离槽内发生的应力。本发明的元件隔离槽的形成方法，在硅衬底(1)上形成的槽(2a)的内壁淀积氮化硅膜衬板(14)后，使已填充到槽(2a)内部的第1填埋绝缘膜(17)的上表面向下方后退，并使氮化硅膜衬板(14)的上端部露出来。其次，在使氮化硅膜衬板(14)的露出部分转化成氧化硅膜(14a)等非氮化硅系绝缘膜后，在第1填埋绝缘膜(17)的上部淀积第2填埋绝缘膜(18)，使其表面平坦化。 | ||
| 申请公布号 | CN1534758A | 申请公布日期 | 2004.10.06 |
| 申请号 | CN200410030958.1 | 申请日期 | 2004.04.01 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 安井感;峰利之;后藤康;横山夏树 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 季向冈 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：对硅衬底进行刻蚀形成槽的步骤；沿着上述槽的内壁形成氮化硅膜的步骤；以及使上述氮化硅膜的一部分转化成非氮化硅系绝缘膜的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||